ZHCSZ38A October 2025 – December 2025 TPS7E82
PRODUCTION DATA
該器件有一個(gè)內(nèi)部過功率限制電路,可在內(nèi)部 SOA(安全工作區(qū))限制內(nèi)限制 LDO 上的功率耗散。LDO 的 SOA 限值考慮了硅元件本身及封裝中使用的引線鍵合的安全運(yùn)行。這些限制可驗(yàn)證器件的可靠運(yùn)行,并防止器件失效因過熱、擊穿或其他損壞效應(yīng)而產(chǎn)生。
LDO 上耗散的功率 (PDissip) 由 LDO 兩端的壓降 (VIN - V OUT) 及流經(jīng)的負(fù)載電流 (IOUT) 定義。
功率限制電路可監(jiān)測(cè) LDO 上的壓降(余量,VIN - VOUT)和流經(jīng)的輸出負(fù)載電流 (IOUT)。如果 PDissip 超過定義的 SOA 限制,則功率限制電路會(huì)限制流經(jīng)的負(fù)載電流 (IOUT)。當(dāng)器件處于功率限制運(yùn)行狀態(tài)時(shí),不會(huì)調(diào)節(jié)輸出電壓。電氣特性 中捕獲了滿余量 (VIN - V OUT = 40V) 下支持的最大電流 (IPLIMIT) 和滿負(fù)載電流下支持的最大余量 (VHEADROOM)。
圖 6-4 展示了功率限制圖。