內(nèi)部電流限制 I_LIM 是電流限制值。根據(jù) CLM 引腳的值，有兩種類型的電流限制行為。首先，當(dāng) CLM 為高電平時(shí)，存在磚墻電流限制。當(dāng) CLM 為低電平時(shí)，存在關(guān)斷電流限制。CLM 可直接連接至 V_IN 或直接連接至 GND，以便控制電流限制運(yùn)行。啟用器件時(shí)，請(qǐng)勿更改此引腳的值，也不要將此引腳懸空。

圖 8-5 中顯示了磚墻式電流限制，也稱為恒定電流限制。在此模式下，一旦達(dá)到 I_LIM 且電流限制電路有時(shí)間作出響應(yīng)，則 TPS7H1111 LDO 會(huì)進(jìn)入恒定電流調(diào)節(jié)模式。換言之，輸出電壓將降至保持輸出電流為 I_LIM 所需的任何值。排除故障后，器件將恢復(fù)調(diào)節(jié)。通常，由于 SS_SET 引腳在故障期間被拉低以使 C_SS 電容器快速放電，所以軟啟動(dòng)時(shí)間與初始啟動(dòng)期間相同。但是，如果故障發(fā)生得非常快，C_SS 電容器可能沒(méi)有完全放電，這會(huì)縮短啟動(dòng)時(shí)間。

由于磚墻式電流限制中的功率耗散較高，TPS7H1111 可能會(huì)進(jìn)入熱關(guān)斷狀態(tài)，從而導(dǎo)致器件停止調(diào)節(jié)，直至它冷卻到足以退出熱關(guān)斷。

圖 8-5 簡(jiǎn)化的磚墻電流限制波形（CLM 高電平）

或者，如果 CLM 為低電平，則存在關(guān)斷電流限制。該行為如圖 8-6 所示。在關(guān)斷電流限制中，如果達(dá)到電流限值 I_LIM，TPS7H1111 LDO 將停止調(diào)節(jié)（短暫延遲 ~28μs 后）。在 EN 下電上電（變?yōu)榈碗娖?，然后變?yōu)楦唠娖剑┲埃琇DO 將不會(huì)恢復(fù)調(diào)節(jié)。

關(guān)斷電流限制的主要優(yōu)勢(shì)是，在達(dá)到電流限制后，不會(huì)持續(xù)出現(xiàn)高功耗。但是，其主要缺點(diǎn)是，在消除故障后，器件不會(huì)自動(dòng)恢復(fù)調(diào)節(jié)。因此，外部監(jiān)控器必須確定何時(shí)發(fā)生故障并決定何時(shí)切換 EN 引腳。這通?？梢酝ㄟ^(guò)監(jiān)控 PG 引腳的現(xiàn)有器件（例如 FPGA 或微控制器）輕松實(shí)現(xiàn)。如果監(jiān)控器檢測(cè)到 PG 引腳失效，則可以切換 EN 以嘗試恢復(fù)調(diào)節(jié)。

當(dāng) EN 從高電平切換到低電平再到高電平時(shí)，它必須在低電平至少保持 t_{EN_LOW} (20μs)。此外，建議在 SS_SET 放電至其標(biāo)稱值的 5% 之前不要切換 EN，以便在重啟期間有足夠的軟啟動(dòng)，從而避免立即重新進(jìn)入電流限制狀態(tài)。

圖 8-6 簡(jiǎn)化的關(guān)斷電流限制波形（CLM 低電平）