ZHCSN72 june 2023 TPSI2072-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 Revision History
- 5 Pin Configuration and Functions
- 6 Specifications
- 7 Parameter Measurement Information
- 8 Detailed Description
- 9 Application and Implementation
- 10Device and Documentation Support
- 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DWQ|11
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
3 說(shuō)明
TPSI2072-Q1 是一款雙通道隔離式固態(tài)繼電器，專為高電壓汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。TPSI2072-Q1 與 TI 具有高可靠性的電容隔離技術(shù)和內(nèi)部背對(duì)背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式解決方案，無(wú)需次級(jí)側(cè)電源。TPSI2072-Q1 可提高系統(tǒng)可靠性，因?yàn)?TI 的電容隔離技術(shù)不會(huì)受到機(jī)械繼電器和光繼電器元件中常見(jiàn)的機(jī)械損耗或光退化故障模式的影響。
該器件的初級(jí)側(cè)僅由 9mA 的輸入電流供電，并集成了失效防護(hù)引腳 EN1 和 EN2，可防止對(duì) VDD 電源反向供電的任何可能性。在大多數(shù)應(yīng)用中，器件的 VDD 引腳應(yīng)連接到 4.5V 至 20V 的系統(tǒng)電源，并且器件的 EN1 和 EN2 引腳應(yīng)由邏輯高電平介于 2.1V 至 20V 之間的 GPIO 輸出驅(qū)動(dòng)。在其他應(yīng)用中，VDD、EN1 和 EN2 引腳可直接由系統(tǒng)電源或 GPIO 輸出驅(qū)動(dòng)。
次級(jí)側(cè)的每個(gè)通道都包含背對(duì)背 MOSFET，從 SM 至 S1 以及 SM 至 S2 的關(guān)斷電壓為 +/-600 V。TPSI2072-Q1 MOSFET 的雪崩穩(wěn)健性和熱敏感封裝設(shè)計(jì)使其能夠可靠地支持系統(tǒng)級(jí)電介質(zhì)耐壓測(cè)試 (HiPot)，并且無(wú)需任何外部元件即可承受高達(dá) 2mA 的直流快速充電器浪涌電流。
| 器件型號(hào) | 封裝(1) | 封裝尺寸（標(biāo)稱值） |
|---|---|---|
| TPSI2072-Q1 | SOIC 11 引腳 (DWQ) | 10.3mm × 7.5mm |
TPSI2072-Q1 簡(jiǎn)化版應(yīng)用原理圖