ZHCSRH4A October 2023 – December 2023 TPSM365R1 , TPSM365R15
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RDN|11
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RDN|11
訂購信息
7.3.10 電流限制和短路
TPSM365R1x 通過針對高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的逐周期電流限制在過流情況下進(jìn)行保護(hù)。
高側(cè) (HS) MOSFET 過流保護(hù)是通過典型峰值電流模式控制方案來實現(xiàn)的。當(dāng)高側(cè)開關(guān)在較短的消隱時間后導(dǎo)通時，將檢測到高側(cè)開關(guān)電流。在每個開關(guān)周期，將高側(cè)開關(guān)電流與固定電流設(shè)定點的最小值，或與內(nèi)部誤差放大器環(huán)路的輸出減去斜率補償之后的值進(jìn)行比較。由于內(nèi)部誤差放大器環(huán)路的輸出具有最大值，并且斜率補償隨著占空比的增大而增加，因此如果占空比通常高于 35%，高側(cè)電流限值會隨著占空比的增加而降低。
當(dāng)?shù)蛡?cè) (LS) 開關(guān)接通時，也會檢測和監(jiān)控流經(jīng)它的電流。與高側(cè)器件一樣，低側(cè)器件具有由內(nèi)部誤差放大器環(huán)路命令的關(guān)斷功能。對于低側(cè)器件，即使振蕩器正常啟動一個新的開關(guān)周期，也會在電流超過此值時阻止關(guān)斷。與高側(cè)器件一樣，關(guān)斷電流的高低也受到限制。該限值在圖 7-11 中稱為低側(cè)電流限值 ILS-LIMIT。如果超出低側(cè)電流限值，低側(cè) MOSFET 將保持導(dǎo)通狀態(tài)，高側(cè)開關(guān)不會導(dǎo)通。一旦低側(cè)電流降至此限值以下，低側(cè)開關(guān)就會關(guān)斷，并且只要自高側(cè)器件上次導(dǎo)通后至少經(jīng)過一個時鐘周期，高側(cè)開關(guān)就會再次導(dǎo)通。
圖 7-11 電流限值波形由于電流波形假定值介于 ISC 和 ILS-LIMIT 之間，因此最大輸出電流非常接近這兩個值的平均值，除非占空比非常高。在電流限制下運行之后將使用遲滯控制，并且電流不會隨著輸出電壓接近零而增加。
如果占空比非常高，電流紋波必須非常低以防止不穩(wěn)定。由于電流紋波較低，因此該器件能夠提供全電流。提供的電流非常接近 ILS-LIMIT。
圖 7-12 輸出電壓與輸出電流間的關(guān)系