ZHCSHM0E FEBRUARY 2005 – February 2018 TS5A3166
PRODUCTION DATA.
| 符號(hào) | 說明 |
|---|---|
| VCOM | COM 時(shí)的電壓 |
| VNO | NO 時(shí)的電壓 |
| ron | 通道導(dǎo)通時(shí) COM 和 NO 端口之間的電阻 |
| rpeak | 額定電壓范圍的導(dǎo)通電阻峰值 |
| ron(flat) | 額定條件范圍下，同一通道內(nèi) ron 最大值與最小值之間的差值 |
| INO(OFF) | 在最不理想的輸入和輸出條件下，相應(yīng)通道（NO 到 COM）處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，在 NO 端口測(cè)得的泄漏電流 |
| INO(PWROFF) | 在電源關(guān)斷狀態(tài)下，V+ = 0 時(shí)，在 NO 端口測(cè)量的泄漏電流 |
| ICOM(OFF) | 在最不理想的輸入和輸出條件下，相應(yīng)通道（COM 到 NO）處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，在 COM 端口測(cè)得的泄漏電流 |
| ICOM(PWROFF) | 在電源關(guān)斷狀態(tài)下，V+ = 0 時(shí)，在 COM 端口測(cè)量的泄漏電流 |
| INO(ON) | 相應(yīng)通道（NO 到 COM）處于導(dǎo)通狀態(tài)且輸出 (COM) 處于開路狀態(tài)時(shí)，在 NO 端口測(cè)得的泄漏電流 |
| ICOM(ON) | 相應(yīng)通道（COM 到 NO）處于導(dǎo)通狀態(tài)且輸出 (NO) 處于開路狀態(tài)時(shí)，在 COM 端口測(cè)得的泄漏電流 |
| VIH | 控制輸入 (IN) 邏輯高電平的最小輸入電壓 |
| VIL | 控制輸入 (IN) 邏輯低電平的最大輸入電壓 |
| VI | 控制輸入 (IN) 處的電壓 |
| IIH、IIL | 控制輸入 (IN) 處測(cè)量的泄漏電流 |
| tON | 開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間。此參數(shù)是在特定條件范圍下，開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，通過數(shù)字控制 (IN) 信號(hào)和模擬輸出（COM 或 NO）信號(hào)之間的傳播延遲測(cè)量得出。 |
| tOFF | 開關(guān)關(guān)斷時(shí)間。此參數(shù)是在特定條件范圍下，開關(guān)關(guān)斷時(shí)，通過數(shù)字控制 (IN) 信號(hào)和模擬輸出（COM 或 NO）信號(hào)之間的傳播延遲測(cè)量得出。 |
| QC | 電荷注入是對(duì)從控制 (IN) 輸入到模擬（NO 或 COM）輸出產(chǎn)生的多余信號(hào)耦合的度量。電荷注入以庫侖為單位，可通過測(cè)量開關(guān)控制輸入產(chǎn)生的總感應(yīng)電荷得出該值。電荷注入，QC = CL × ΔVCOM，CL 是負(fù)載電容，ΔVCOM 是模擬輸出電壓的變化。 |
| CNO(OFF) | 相應(yīng)通道（NO 到 COM）關(guān)斷時(shí) NO 端口的電容 |
| CCOM(OFF) | 相應(yīng)通道（COM 到 NO）關(guān)斷時(shí) COM 端口的電容 |
| CNO(ON) | 相應(yīng)通道（NO 到 COM）導(dǎo)通時(shí) NO 端口的電容 |
| CCOM(ON) | 相應(yīng)通道（COM 到 NO）導(dǎo)通時(shí) COM 端口的電容 |
| CI | 控制輸入 (IN) 電容 |
| OISO | 開關(guān)關(guān)斷隔離用于衡量關(guān)斷狀態(tài)開關(guān)阻抗的大小。關(guān)斷隔離以 dB 為單位，當(dāng)相應(yīng)通道（NO 到 COM）處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，在特定頻率下測(cè)量得出。 |
| BW | 開關(guān)的帶寬。這是導(dǎo)通通道增益低于直流增益 -3dB 時(shí)的頻率。 |
| THD | 總諧波失真描述由模擬開關(guān)導(dǎo)致的信號(hào)失真。其定義為基礎(chǔ)諧波的第二、第三或更高諧波與基礎(chǔ)諧波的絕對(duì)幅度的均方根 (RMS) 的比值。 |
| I+ | 靜態(tài)電源電流，以及 V+ 或 GND 的控制 (IN) 引腳 |