ZHCSKP2A March 2020 – August 2024 UCC21320-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測量信息
- 7 詳細(xì)說明
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2 典型應(yīng)用
- 9 電源相關(guān)建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12修訂歷史記錄
- 13機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DWK|14
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
8.2.2.8 死區(qū)時間設(shè)置指南
對于采用半橋的電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)?，頂部和底部晶體管之間的死區(qū)時間設(shè)置有助于防止在動態(tài)開關(guān)期間發(fā)生擊穿。
電氣表中的 UCC21320-Q1 死區(qū)時間規(guī)格定義為從一個通道下降沿的 90% 到另一個通道上升沿的 10% 的時間間隔（請參閱圖 6-4）。此定義可確保死區(qū)時間設(shè)置與負(fù)載條件無關(guān)，并通過制造測試保證線性度。但是，該死區(qū)時間設(shè)置可能不會反映功率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)中的死區(qū)時間，因?yàn)樗绤^(qū)時間設(shè)置取決于外部柵極驅(qū)動接通/關(guān)斷電阻器、直流鏈路開關(guān)電壓/電流以及負(fù)載晶體管的輸入電容。
以下是有關(guān)如何為 UCC21320-Q1 選擇合適死區(qū)時間的建議：
方程式 22. 
其中
- DTsetting：UCC21320-Q1 死區(qū)時間設(shè)置（單位為 ns），DTSetting = 10 × RDT（單位為 kΩ）。
- DTReq：具有足夠裕度或 ZVS 要求的頂部和底部開關(guān)的實(shí)際 VGS 信號之間的系統(tǒng)所需死區(qū)時間。
- TF_Sys：在負(fù)載、電壓/電流條件最壞的情況下，系統(tǒng)內(nèi)柵極關(guān)斷下降時間。
- TR_Sys：在負(fù)載、電壓/電流條件最壞的情況下，系統(tǒng)內(nèi)柵極導(dǎo)通上升時間。
- TD(on)：導(dǎo)通延遲時間，從晶體管柵極信號的 10% 到功率晶體管柵極閾值。
在本示例中，DTSetting 設(shè)為 250ns。
應(yīng)注意，UCC21320-Q1 死區(qū)時間設(shè)置由 DT 引腳配置決定（請參閱 節(jié) 7.4.2），它無法根據(jù)系統(tǒng)條件自動微調(diào)死區(qū)時間。建議在 DT 引腳附近將一個 ≤1nF 陶瓷電容器與 RDT 并聯(lián)，以實(shí)現(xiàn)更好的抗噪性能。