5kVRMS、隔離式 DC/DC 模塊" />
ZHCSY93B April 2025 – November 2025 UCC34141-Q1
ADVANCE INFORMATION
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
UCC34141-Q1 具有軟啟動(dòng)機(jī)制,可確保以超小的輸入浪涌電流實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)、快速的軟啟動(dòng)運(yùn)行。下圖所示為輸出電壓軟啟動(dòng)圖。在輸入電壓高于 VIN_UVLO 閾值且 ENA 信號(hào)被拉高后,軟啟動(dòng)序列從初級(jí)占空比開(kāi)環(huán)控制開(kāi)始。功率級(jí)以固定突發(fā)頻率運(yùn)行,占空比從 6.5% 開(kāi)始逐漸增加。占空比的變化率預(yù)先在器件中進(jìn)行了編程,以便在建立輸出電壓 VDD 的同時(shí)降低輸入浪涌電流。在這一階段,初級(jí)側(cè)會(huì)將最大占空比限制在 62.5%,直到次級(jí)側(cè) VDD 電壓超過(guò) VDD_UVLO 后才釋放此占空比限制。該限制可確保在器件短路啟動(dòng)且 VDD 未升高的情況下將輸入電流降至最低。一旦 VDD 達(dá)到調(diào)節(jié)范圍,占空比就不再由初級(jí)側(cè)控制器決定,而是由 VDD 遲滯控制來(lái)嚴(yán)格調(diào)節(jié)定義的遲滯范圍內(nèi)的輸出電壓。
當(dāng) VDD 通過(guò) VVDD_UVLO 時(shí),將執(zhí)行 FBVEE 狀態(tài)檢查,然后生成單個(gè)電感器電流脈沖以進(jìn)行 BSW 引腳故障檢測(cè)。當(dāng) VDD 達(dá)到調(diào)節(jié)電壓時(shí),VEE 將以低峰值電流開(kāi)始軟啟動(dòng)。這樣,隔離式轉(zhuǎn)換器的充電電流可以在 VEE 軟啟動(dòng)之前先專門為 VDD 電容器供電。VEE 電壓的軟啟動(dòng)過(guò)程包括兩個(gè)階段。在第 1 階段,開(kāi)始時(shí)受限的 VEE 軟啟動(dòng)峰值電流可在軟啟動(dòng)超時(shí)到期之前降低功率損耗,尤其是在 VEE 引腳短接至 COM 時(shí)。當(dāng) VCOM-VEE 高于 VVEE_SS(典型值為 0.5V)時(shí),VEE 軟啟動(dòng)進(jìn)入第 2 階段,電感器峰值電流增至更高的值,以便 VEE 電容器充電的啟動(dòng)時(shí)間會(huì)顯示更快的斜升速率。
為了生成電源正常信號(hào),當(dāng) VDD 電壓達(dá)到調(diào)節(jié)電壓時(shí),將啟動(dòng) tVEE_SSTO 和 tPG_Delay 的兩個(gè)計(jì)時(shí)器。如果在 tVEE_SSTO 周期內(nèi),VEE 未超過(guò) VEE_UVP 閾值,將觸發(fā)故障以關(guān)斷器件并標(biāo)記軟啟動(dòng)失敗。如果在 tPG_Delay 周期內(nèi)未檢測(cè)到故障,電源正常信號(hào)將更改為有效狀態(tài),以指示電源正常狀態(tài)。如果在 tSSTO 周期內(nèi),VDD 電壓未達(dá)到調(diào)節(jié)值,則將觸發(fā)故障來(lái)關(guān)斷器件并標(biāo)記軟啟動(dòng)失敗。
為了確保 VEE 在 tVEE_SSTO 周期內(nèi)達(dá)到 VEE_UVP 閾值,柵極驅(qū)動(dòng)器側(cè) (CVEE_GD) 和隔離式轉(zhuǎn)換器偏置側(cè) (CVEE_BIAS) 的 COM 至 VEE 輸出電容之和不應(yīng)超過(guò)最大允許值。柵極驅(qū)動(dòng)器側(cè)的最大允許值 (CVEE_GD) 可在在計(jì)算工具中找到,這是除本數(shù)據(jù)表之外的另一個(gè)設(shè)計(jì)支持文檔。用于確定最大允許電容器值的公式如下所示,已經(jīng)在計(jì)算工具中實(shí)現(xiàn)。在該公式中,、ILOAD_SS_VEE 表示 VEE 軟啟動(dòng)期間輸出負(fù)載的靜態(tài)電流。