ZHCSX72C September 2023 – December 2025 UCG28824 , UCG28826 , UCG28828
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
我們借助圖 7-7 說明了 UCG2882x 的初級側(cè)集成式 GaN HEMT 的開關(guān)能力。圖 7-7 顯示了在反激式應(yīng)用中,器件在兩個不同開關(guān)周期內(nèi) UCG2882x 的漏源電壓(與 SW 引腳電壓相同)。第一個周期是正常開關(guān)周期,然后是 DCM/谷底開關(guān)條件下的浪涌開關(guān)周期。
GaN HEMT 處于導(dǎo)通狀態(tài)時,每個周期都在 t0 之前開始。在 t0 時,GaN HEMT 關(guān)斷,寄生元件導(dǎo)致漏源電壓以高頻振鈴。高頻振鈴已經(jīng)減弱了 t1。在 t1 和 t2 之間時,HEMT 漏源處于平坦電壓下,在反激式設(shè)計中減小了次級繞組電流。在 t2 時,GaN HEMT 在谷底處導(dǎo)通。在正常運行期間,該器件在每個開關(guān)周期中均可安全運行,泄漏瞬態(tài)電壓高達(dá) 750V (VSW(tr))。對于罕見的浪涌事件,瞬態(tài)振鈴電壓限制為 800V,平坦電壓限制為 750V。