ZHCSX72C September 2023 – December 2025 UCG28824 , UCG28826 , UCG28828
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機械、封裝和可訂購信息
封裝選項
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- REZ|12
散熱焊盤機械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.4.7 壓擺率控制
UCG2882x 包含壓擺率選項，可在初級 GaN HEMT 導(dǎo)通時降低開關(guān)節(jié)點谷值電壓到接地端之間的漏極電壓。谷底開關(guān)期間的這種 GaN HEMT 導(dǎo)通發(fā)生在電流幾乎為零的情況下，由于壓擺率控制而導(dǎo)致導(dǎo)通速度變慢，因此產(chǎn)生的額外損耗可忽略不計，這有助于滿足各種電磁發(fā)射標(biāo)準(zhǔn)。有三種壓擺率選項可供選擇，分別為 5V/ns、7V/ns 和 10V/ns，它們根據(jù)谷值電壓略有不同，如圖 7-11 所示。
圖 7-11 GaN HEMT 導(dǎo)通壓擺率控制根據(jù)表 7-5 中的值，使用 CDX 引腳到 GND 之間的電阻器選擇所需的壓擺率值。在初級 GaN HEMT 關(guān)斷瞬間，SW 節(jié)點電壓的增加取決于 IPK 和開關(guān)節(jié)點總電容 CSW。柵極驅(qū)動電流在此關(guān)斷壓擺率中以可控方式減少，這會顯著增加損耗。如果需要降低 GaN HEMT 關(guān)斷壓擺率，請在 GaN HEMT 漏極（開關(guān)節(jié)點）到 GND 之間添加一個額外的電容器，以降低在此關(guān)斷瞬間開關(guān)節(jié)點電壓的增加速率。