ZHCSX72C September 2023 – December 2025 UCG28824 , UCG28826 , UCG28828
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- REZ|12
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
7.4.3 GaN HEMT 開(kāi)關(guān)能力
我們借助圖 7-7 說(shuō)明了 UCG2882x 的初級(jí)側(cè)集成式 GaN HEMT 的開(kāi)關(guān)能力。圖 7-7 顯示了在反激式應(yīng)用中，器件在兩個(gè)不同開(kāi)關(guān)周期內(nèi) UCG2882x 的漏源電壓（與 SW 引腳電壓相同）。第一個(gè)周期是正常開(kāi)關(guān)周期，然后是 DCM/谷底開(kāi)關(guān)條件下的浪涌開(kāi)關(guān)周期。
圖 7-7 GaN HEMT 開(kāi)關(guān)能力GaN HEMT 處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，每個(gè)周期都在 t0 之前開(kāi)始。在 t0 時(shí)，GaN HEMT 關(guān)斷，寄生元件導(dǎo)致漏源電壓以高頻振鈴。高頻振鈴已經(jīng)減弱了 t1。在 t1 和 t2 之間時(shí)，HEMT 漏源處于平坦電壓下，在反激式設(shè)計(jì)中減小了次級(jí)繞組電流。在 t2 時(shí)，GaN HEMT 在谷底處導(dǎo)通。在正常運(yùn)行期間，該器件在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期中均可安全運(yùn)行，泄漏瞬態(tài)電壓高達(dá) 750V (VSW(tr))。對(duì)于罕見(jiàn)的浪涌事件，瞬態(tài)振鈴電壓限制為 800V，平坦電壓限制為 750V。