ZHCSPX8C January 2000 – January 2026 XTR115 , XTR116
PRODUCTION DATA
對于任何 XTR11x 設(shè)計(jì),都必須評估 4mA 至 20mA 控制環(huán)路的穩(wěn)定性。對于大多數(shù)應(yīng)用,建議在 V+ 和 IO 之間使用 10nF 去耦電容器。由于該電容從穩(wěn)定性的角度而言與負(fù)載電阻 RLOAD 并聯(lián),因此電容器和電阻器將形成一個濾波器轉(zhuǎn)角,可限制系統(tǒng)的帶寬。因此,對于 HART 應(yīng)用,請改用 2nF 至 3nF 的旁路電容。
對于存在 EMI 和 EMC 問題的應(yīng)用,請使用具有足夠低 ESR 的旁路電容器將 VLOOP 電源的任何紋波電壓去耦。否則,紋波電壓會耦合到 4mA 至 20mA 電流源上,并在電流轉(zhuǎn)換至電壓后作為 RLOAD 上的噪聲出現(xiàn)。
此外,在驅(qū)動容性負(fù)載時,VREF 基準(zhǔn)緩沖器存在穩(wěn)定性問題。圖 8-4 顯示需要兩個濾波電容器,一個 10pF 至 0.5μF 的 CHF,以及另一個 2.2μF 至 22μF 的 CLF。根據(jù)應(yīng)用要求,使用串聯(lián)隔離電阻 RISO 或緩沖器 RCOMP。