9 選擇 FET QE 和 QF

應(yīng)根據(jù)電流和電壓額定值以及功耗選擇同步 FET，以滿足設(shè)計效率目標(biāo)。這可能是一個試錯過程。我們從 Fairchild 選擇了一個經(jīng)過評估的 75V、120A FET（器件型號為 FDP032N08），看看它們是否可以用于同步 FET QE 和 QF，以實現(xiàn)我們的效率目標(biāo)。在估計總 FET 損耗和功率預(yù)算后，確定這些 FET 可用于本設(shè)計。

將根據(jù)應(yīng)用中的以下數(shù)據(jù)計算平均 FET C_OSS (C_{OSS_QE_AVG})：C_OSS (C_{OSS_SPEC}) 的數(shù)據(jù)表參數(shù)，用于測量 C_{OSS_SPEC} 的漏源電壓 (V_{ds_spec})，以及設(shè)計中將施加于 FET 的最大漏源電壓 (V_dsQE)。

FET QE 和 QF 斷開時的電壓：

FET 數(shù)據(jù)表中用于指定和測試 FET C_OSS 的電壓：

FET 數(shù)據(jù)表中指定的輸出電容：

平均 QE 和 QF C_OSS [2]：

QE 和 QF 均方根電流：

為了估算 FET 開關(guān)損耗，需要研究 FET 數(shù)據(jù)表中的 V_g 與 Q_g 曲線。首先，需要確定給定 V_DS 的米勒平坦區(qū)開始時的柵極電荷 (QE_{MILLER_MIN}) 和米勒平坦區(qū)結(jié)束時的柵極電荷 (QE_{MILLER_MAX})。

米勒平坦區(qū)結(jié)束時的最大柵極電荷：

米勒平坦區(qū)開始時的最小柵極電荷：

估計的 FET V_ds 上升和下降時間：

估算 QE 和 QF FET 損耗 (P_QE)：

重新計算功率預(yù)算并檢查剩余功率預(yù)算，以達(dá)到效率目標(biāo)。