JFET 運(yùn)算放大器由一個(gè) JFET 輸入級(jí)以及增益和輸出級(jí)中的 BJT 組成。此類器件通常具有最高的 V_OS 和三種工藝類型的溫漂。這可以歸因于 JFET 的跨導(dǎo)，比 BJT 的跨導(dǎo)低（請(qǐng)參閱 Gray 和 Meyer [2]）。JFET 運(yùn)算放大器犧牲了直流精度，因此通常在需要高輸入阻抗或交流性能時(shí)使用。

JFET 差分輸入電路與圖 4-1 中所示的雙極電路相同，使用 JFET 晶體管代替 Q₁ 和 Q₂。集電極負(fù)載電阻器 R_C 現(xiàn)在變成漏極負(fù)載電阻器 R_D?；鶢柣舴螂妷憾梢脖挥脕?lái)推導(dǎo)方程式 13。V_GS 在方程式 14 中定義，假定 JFET 是平方律器件，并代入方程式 13，得出方程式 8。

JFET 對(duì) Q₁、Q₂、R_D 和 I_REF 通道中的失配引起的偏置電流變化更為敏感，因此總 V_OS 高于雙極差分輸入級(jí)。JFET 工藝的 V_OS 主要是由于方程式 8 的第一項(xiàng)（括號(hào)中）所示的器件夾斷電壓 (V_P) 的失配而產(chǎn)生的。通道摻雜程度和厚度是產(chǎn)生該誤差的 V_P 的分量。第二項(xiàng)和第三項(xiàng)也有一些由 V_P 引入的誤差，以及由 I_D 引入的誤差（由輸入晶體管的通道幾何形狀和摻雜程度導(dǎo)致的 R_D 和 I_DSS 失配引起）?？傮w結(jié)果是 Q₁ 和 Q₂ 的 V_GS 電壓不同，導(dǎo)致 V_OS 出現(xiàn)在運(yùn)算放大器輸入端。

使用方程式 5 計(jì)算類似于雙極型的 JFET 的總 V_OS。