ZHCACQ3A december 2019 – june 2023 TPS25830-Q1 , TPS25830A-Q1 , TPS25831-Q1 , TPS25840-Q1
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- TPS25830、TPS25831-Q1 和 TPS25840-Q1 的電池短路保護(hù)測(cè)試
- 商標(biāo)
- 1引言
- 2電池短路的常規(guī)場(chǎng)景
- 3電池短路的特殊場(chǎng)景
- 4電池短路時(shí)連接 TVS 的場(chǎng)景
- 5Revision History
2.1.2 DP_IN/DM_IN 短接至 VBAT 的場(chǎng)景
DP_IN/DM_IN 的 VBAT 短路保護(hù)功能由內(nèi)部保護(hù)電路和外部電容 C3 實(shí)現(xiàn)（請(qǐng)參閱圖 2-5）。當(dāng) DP_IN/DM_IN 短接至 VBAT 時(shí)，部分電壓尖峰被內(nèi)部保護(hù)電路鉗制，而另一部分則由外部 C3 通過(guò)內(nèi)部二極管 Z1 或 Z2 吸收。同時(shí)，輸出電容 C4 和 C2 也被充電，從而有效吸收電壓尖峰。圖 2-6 顯示了測(cè)試結(jié)果。
圖 2-5 上電并將 DP_IN/DM_IN 短接至 VBAT 的測(cè)試設(shè)置
| CH1 = 5V/div，CH2 = 5V/div，CH3 = 5V/div，1μS/div |