ZHCACQ3A december 2019 – june 2023 TPS25830-Q1 , TPS25830A-Q1 , TPS25831-Q1 , TPS25840-Q1
客戶應(yīng)用中通常會(huì)有一些特殊場(chǎng)景,匯總?cè)缦拢?/p>
場(chǎng)景 1:客戶通常會(huì)在 TPS25830、TPS25831-Q1 或 TPS25840-Q1 系統(tǒng)之前添加 MOSFET Q2 保護(hù)電路,以便實(shí)現(xiàn)過壓、欠壓和防反向連接功能。當(dāng)輸入電壓出現(xiàn)過壓或欠壓時(shí),Q2 關(guān)閉。Q2 關(guān)閉后,USB 閃電輸出端口可能會(huì)意外接觸到點(diǎn)煙器的正極。這是一種需要進(jìn)行測(cè)試的可能情況。等效測(cè)試條件是先斷電,然后將 VBUS/DP_IN/DM_IN 短接至電池 VBAT(請(qǐng)參閱圖 3-1):
圖 3-1 VBUS/DP_IN/DM_IN 短接至 VBAT 的測(cè)試設(shè)置場(chǎng)景 2:最終用戶駕車到達(dá)目的地后,會(huì)關(guān)閉汽車引擎并從設(shè)備上拔下 USB 閃電端口。如果此時(shí) USB 閃電端口意外接觸到點(diǎn)煙器的正極,那么下次汽車啟動(dòng)時(shí),VBUS 和 VBAT 之間會(huì)出現(xiàn)短路。等效測(cè)試條件為:將 VBUS/DP_IN/DM_IN 短接至 VBAT,然后為 TPS25830、TPS25831-Q1 或 TPS25840-Q1 上電(圖 3-2)。
圖 3-2 VBUS/DP_IN/DM_IN 短接至 VBAT 的測(cè)試設(shè)置場(chǎng)景 3 與場(chǎng)景 2 類似。唯一的區(qū)別是,由于客戶時(shí)序要求,EN 由外部 MCU 或其他控制信號(hào)控制。等效測(cè)試條件是先將 VBUS/DP_IN/DM_IN 短接至 VBAT 并上電,然后啟用 EN。圖 3-3 顯示了測(cè)試設(shè)置。
圖 3-3 VBUS/DP_IN/DM_IN 短接至 VBAT 的測(cè)試設(shè)置