ZHCAD61A September 2023 – October 2023 MCF8315A , MCF8316A
2.2.1 通過硬件解決散熱問題
由于 MCF831x 器件是集成式 FET 器件，因此 MOSFET 的導(dǎo)通損耗和關(guān)斷損耗不可避免地會(huì)影響熱性能。對(duì)于大多數(shù)對(duì)數(shù)集成式 FET 電機(jī)控制器件，HS+LS 的 Rds(ON) 為 200mΩ 至 300mΩ，但對(duì)于 MCF831x，Rds(ON) (Hs+LS) 為 95mΩ，可以大幅降低導(dǎo)通損耗。而對(duì)于 MCF831x，MOSFET 下橋的 Rds(ON)用作采樣電阻器，以便進(jìn)一步降低傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器中采樣電阻器導(dǎo)致的損耗。
圖 2-1 MCF831X 電流檢測電路對(duì)于內(nèi)部 LDO 和降壓引起的損耗，請(qǐng)查看圖 2-2 中 MCF831x 內(nèi)部的電源軌路徑。
從效率的角度來看，妥善做法是啟用內(nèi)部降壓或 LDO，并將降壓輸出設(shè)置為 3.3V，使 LDO 引起的損耗達(dá)到最小值。
圖 2-2 MCF831X 電源序列