2 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

在雙向直流/直流應(yīng)用中，此設(shè)計(jì)中的一些考慮因素有助于減小自舉二極管上的應(yīng)力，以及減輕對(duì)自舉二極管可能造成的損壞。

首先，適當(dāng)確定自舉電容器的容值對(duì)于正確驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 而言非常重要，此外，也會(huì)使 HB-HS 偏置以極快的速度啟動(dòng)。在這些應(yīng)用中，我們建議不要使自舉電容過(guò)大。

還有其他設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)可以解決如下所示的柵極驅(qū)動(dòng)器和自舉啟動(dòng)問(wèn)題：

1. 在未主動(dòng)供電的相位上包含低頻 LO 脈沖。這可確保 HB-HS 偏置在啟用相位之前完全預(yù)充電。
2. 確保當(dāng)啟用一個(gè)相位時(shí)，第一個(gè)初始 LO 脈沖是一個(gè)長(zhǎng)脈沖，足以在自舉二極管正向電流變?yōu)榱慊蚪咏诹愕那闆r下為自舉電容器充電。在正常 HI 和 LI 脈寬期間隨機(jī)啟用相位會(huì)導(dǎo)致 LI 初始脈寬短，從而導(dǎo)致高正向電流在自舉二極管中流動(dòng)，然后當(dāng) HS 變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，反向恢復(fù)電流會(huì)更高。
3. 添加一個(gè)與驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部自舉二極管并聯(lián)的外部肖特基二極管。使用一個(gè)小型封裝二極管以允許靠近具有低 V_F 和低 R_DYN 的 IC VDD 和 HB 引腳放置。