圖 3-4 INA745A 與 INA236 + 電阻器 D 的比較

在較高的環(huán)境溫度下（例如 125°C），由于分立式設計中數(shù)字功率監(jiān)測器和電阻器型號產(chǎn)生的總漂移，在 0.7A 至 25A 范圍內，INA745A 能夠比分立式設計提供更高的設計精度，而分立式設計在 0A 至大約 0.7A 的范圍內可保持更高的精度。這種行為可歸因于 EZShunt 器件執(zhí)行的主動校準，以及與 INA236 + 電阻器 D 相比更低的總體系統(tǒng)漂移。

但是，在 25°C 時，我們的數(shù)據(jù)顯示 EZShunt? 設計的總體精度低于分立式設計，這是因為 INA745A 在系統(tǒng)上產(chǎn)生的總誤差略大于 INA236 + 電阻器 D。

圖 3-5 INA745A 與 INA236 + 電阻器 E 的比較

前面的數(shù)據(jù)集可幫助我們了解在設計中使用電阻器 E 時的一些差異。此處，我們可以在大約 0.3A 至 25A 范圍內看到，25°C 和 125°C 時，INA745A 可以提供比分立式設計更精確的設計。與此同時，在 0A 至大約 0.3A 范圍內，25°C 和 125°C 時，分立式設計的精度會略高一些。分立式設計在較低電流電平下的性能更高可歸因于更低的電壓溫漂和誤差。

圖 3-6 INA745A 與 INA236 + 電阻器 F 的比較

在比較 25°C 時的性能的相關數(shù)據(jù)集時，我們能夠看到分立式設計產(chǎn)生的總誤差小于 EZShunt? 設計。這有助于我們理解，價格更高的電阻器 E 與我們的 INA236 相結合，在較低溫度下可以提供更高的精度。另一方面，在 125°C 時，與分立式設計相比，INA745A 的設計在 0.7A 至 25A 范圍內具有更小的總誤差和更高的精度，但分立式設計在 0A 至 0.7A 范圍內具有略高的性能。