在初級(jí)和次級(jí)側(cè)布置接地平面，可在連接器件的接地引腳時(shí)為開(kāi)關(guān)環(huán)路提供低阻抗回流路徑。此外，這些平面還可充當(dāng)法拉第屏蔽層，抑制來(lái)自變壓器的 H 場(chǎng)。在設(shè)計(jì)允許范圍內(nèi)盡可能擴(kuò)大覆銅面積。

為了防止 HF 電流通過(guò)布局寄生電容形成旁路，建議去除 DM 電感器和 FB 下方的覆銅。出于同樣的原因，我們建議在 EMI 濾波器區(qū)域周圍設(shè)置 1mm KOZ。

由于開(kāi)關(guān)環(huán)路兩側(cè)（正極和回流）的阻抗匹配，CM 噪聲得以最小化，而且開(kāi)關(guān)環(huán)路距離不會(huì)影響 LISN 上的 EMI。因此，建議保持開(kāi)關(guān)環(huán)路盡可能短，從而保持小尺寸設(shè)計(jì)。在這里，為開(kāi)關(guān)環(huán)路選擇了 1.5mm 的距離。