DRV84xx、DRV89x2 和 DRV82x2 系列器件包含適用于各種工業(yè)應用的寬電壓、高功率驅(qū)動器。

DRV84xx：DRV8452、DRV8461 和 DRV8462，具有自動扭矩、靜音步進衰減模式和自動微步進的步進電機驅(qū)動器

自動扭矩功能根據(jù)負載扭矩調(diào)整線圈電流，以此提高系統(tǒng)效率。靜止省電模式可自動減少電機保持狀態(tài)下的功率損耗。靜音步進衰減模式可實現(xiàn)無噪聲運行。

采用內(nèi)部電流檢測架構，無需再使用外部功率檢測電阻，從而縮小 PCB 面積并降低系統(tǒng)成本。DRV8452/DRV8461/DRV8462 的內(nèi)置分度器支持高達 1/256 微步，自動微步進模式對輸入 STEP 信號進行插值，以減少控制器 MCU 的開銷。

無傳感器失速檢測消除了系統(tǒng)的末端停止。該器件支持保護和診斷功能，可實現(xiàn)穩(wěn)健可靠的運行。

DRV89x2：DRV8952 和 DRV8962，具有電流檢測輸出的四通道半橋驅(qū)動器

器件的輸出級包括配置為四個獨立半橋的 N 溝道功率 MOSFET、電荷泵穩(wěn)壓器、電流檢測和調(diào)節(jié)電路、電流比例輸出以及保護電路。

高側 MOSFET 上的集成電流檢測功能可讓器件在負載從輸出端接地時調(diào)節(jié)負載電流。利用可調(diào)外部電壓基準 (VREF)，可設置調(diào)節(jié)電流限值。此外，該器件還提供四個比例電流輸出引腳，每個引腳對應一個半橋高側 FET。

該器件提供了低功耗睡眠模式，可實現(xiàn)超低靜態(tài)電流。提供的內(nèi)部保護特性包括：電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓 (CPUV)、輸出過流 (OCP) 和器件過熱 (OTSD) 保護。

DRV82x2：DRV8252 和 DRV8262，具有電流檢測輸出的單路或雙路 H 橋電機驅(qū)動器

該器件集成了兩個 H 橋。兩個 H 橋可以并聯(lián)在一起。如需了解更多信息，請參考數(shù)據(jù)表。

與 DRV89x2 類似，在啟動期間和高負載事件中，高側 MOSFET 上的集成電流檢測功能可實現(xiàn)通過驅(qū)動器調(diào)節(jié)電機電流。利用可調(diào)外部電壓基準，可設置電流限值。此外，該器件還提供與每個 H 橋的電機電流成正比的輸出電流。集成檢測采用電流鏡架構，無需大型分流電阻，可以節(jié)省電路板面積并降低系統(tǒng)成本。

該器件提供了低功耗睡眠模式，可實現(xiàn)超低靜態(tài)電流。提供的內(nèi)部保護特性包括：電源欠壓鎖定 (UVLO)、電荷泵欠壓 (CPUV)、輸出過流 (OCP) 和器件過熱 (OTSD) 保護。