ZHCUC64B August 2024 – May 2025 DRV8162 , INA241A , ISOM8710
VGVDD 和 VGVDD_SL 電壓可以定義導(dǎo)通狀態(tài) VGS，即 FET 在應(yīng)用中的實(shí)際高電平柵極電壓。
該值可用于確定 FET 在給定電壓下的 RDS(ON)。定義 DRV8162L 的過(guò)流跳變電平時(shí)需要 RDS(ON)。
綜合這些考慮因素，對(duì)所選 FET 進(jìn)行了計(jì)算，結(jié)果如 表 2-1 所示。此設(shè)計(jì)采用兩個(gè)并聯(lián) FET 來(lái)實(shí)現(xiàn)低 RDS(ON) 并支持高電流輸出。該計(jì)算是利用歐姆定律完成的。
| 參數(shù) | NTMTSC1D6N10 | 2 × NTMTSC1D6N10 | ||
|---|---|---|---|---|
| ID | 267A | 534A | ||
| IDM | 900A | 1800A | ||
| QG | 106nC | 212nC | ||
| 結(jié)溫 | 25°C | 125°C | 25°C | 125°C |
| RDS(ON) VGS = 10V 時(shí) |
1.42m? | 2.50m? | 0.71m? | 0.88m? |
| TRIP LEVEL1-0：0.15V |
106A |
60A |
211A |
120A |
|
TRIP LEVEL1-1：0.2V |
141A |
80A |
282A |
160A |
使用快速開(kāi)關(guān) FET 時(shí)，每個(gè)半橋都可能需要 RC 緩沖器網(wǎng)絡(luò)來(lái)抑制電路振鈴。盡管測(cè)試用例不需要該緩沖電路，但該設(shè)計(jì)為每個(gè)半橋保留一個(gè) RC 緩沖電路作為測(cè)試和調(diào)試選項(xiàng)。