LMG2650EVM-100 僅報(bào)告低側(cè)過熱故障。低側(cè)過熱保護(hù)功能變?yōu)橛行Ш?，F(xiàn)LT 引腳上會(huì)報(bào)告低側(cè)過熱故障。FLT 引腳是低電平有效的開漏輸出，因此該引腳會(huì)在出現(xiàn)低側(cè)過熱故障時(shí)拉至低電平。有關(guān)運(yùn)行詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱 LMG2650 具有集成驅(qū)動(dòng)器和電流檢測(cè)仿真功能的 650V 95mΩ GaN 半橋數(shù)據(jù)表。

GDH 引腳以 SW 為基準(zhǔn)并用于導(dǎo)通和關(guān)斷高側(cè) GaN 功率 FET。GDH 引腳與使用高側(cè)參考信號(hào)來控制高側(cè) GaN 功率 FET 的控制器兼容。LMG2650 旨在與 INH 引腳或控制高側(cè) GaN 功率 FET 的 GDH 引腳配合使用。

LMG2650EVM-100 使用與兩根跳線 SH-J1 和 SH-J2 配對(duì)的接頭 J2 和 J3 來設(shè)置高側(cè) PWM 輸入信號(hào)引腳。默認(rèn)情況下，GDH 短接至 SW，INH 短接至數(shù)字接頭 J1，而 J1 與相應(yīng)的 TI 主板或自定義電路相連。

要將 GDH 引腳用作高側(cè)輸入信號(hào)，INH 必須通過跳線 SH-J2 接地。在接頭 J3 的引腳 2 和 3 之間移動(dòng)此跳線，以將 LMG2650 的 INH 引腳連接到 AGND。接下來，移除跳線 SH-J1 以暴露接頭 J2，該接頭現(xiàn)在是高側(cè)柵極信號(hào)的輸入。如果使用波形發(fā)生器，請(qǐng)確保接地端懸空，并在 J2 的引腳 1 和 2 之間連接信號(hào)。正信號(hào)連接到 GDH，負(fù)信號(hào)連接到 SW。