ZHDA003 December 2025 TPS7H4102-SEP , TPS7H4104-SEP
運(yùn)行期間,VEXT 可能會(huì)由于線路瞬變、負(fù)載瞬變(如果加載了 VEXT)和輻射引起的單粒子瞬變等外部因素而偏離標(biāo)稱直流值。TPS7H4104-SEP 的 SEE 報(bào)告《TPS7H4104-SEP 的單粒子效應(yīng) (SEE) 輻射報(bào)告》展示并討論了在重離子束下測試 TPS7H4104-SEP 的結(jié)果。雖然未觀察到幅度達(dá)到或超過 3% 的 SET 事件,但可在仿真中對(duì) VEXT 注入理論上的 3% 瞬變,以觀察在不同 VEXT 標(biāo)稱水平下對(duì) VOUT 的影響。
在仿真中,-3% 的瞬變以 10μs 的上升和下降時(shí)間直接注入 VEXT 電壓軌。我們測試了三種不同的標(biāo)稱 VEXT 電平,并針對(duì)每種 VEXT 條件將瞬變幅度調(diào)整為標(biāo)稱值的 -3%。圖 4-3 在單幅圖上展示了所有三種 VEXT 電平的結(jié)果。
上圖顯示,對(duì)于較大的 VEXT 值,相同的電壓標(biāo)稱值百分比偏差在 VOUT 上產(chǎn)生的擾動(dòng)更小。造成這種反直覺關(guān)系的原因在于 RB1 兩端的壓降和 VREF 電壓。流經(jīng) RB1 的電流不是由 GND 和 VEXT 之間的總電勢決定的,而是由 VEXT 和 VREF 之間的總電勢決定。由于 VEXT 上的擾動(dòng)幅度由 VEXT 與 GND 間的電壓決定,因此在從 VEXT 中減去 VREF 后,較小的 VEXT 值最終會(huì)承受更大百分比的擾動(dòng),因?yàn)?VREF 在其中占比較大。
此外,我們將一款經(jīng)過修改的 TPS7H4104EVM(配備 VEXT 及與第 3 節(jié)所述類似、且在第 4 節(jié)中進(jìn)行過仿真的低壓輸出通道配置)暴露于 LET 值為 75MeV 的重離子束下。在 VOUT 上未觀察到幅度大于 2.5% 的 SET 事件。