ZHDA047 January 2026 ISOM8600 , ISOM8610
3.1 隔離技術(shù)
ISOM86x0 實現(xiàn)了 TI 全新的光耦仿真器技術(shù)，使用 TI 獲得專利的 SiO2 隔離材料作為電介質(zhì)。與光耦合器中使用的氣隙或基于環(huán)氧樹脂的隔離不同，SiO2 提供超高的電介質(zhì)強度。
表 3-1 各種絕緣材料的介電強度
| 絕緣材料 | 技術(shù) | 介電強度 |
|---|---|---|
| 空氣 | 光學(xué)耦合器 | 約 1VRMS/μm |
| 環(huán)氧樹脂 | 光學(xué)耦合器 | 約 20VRMS/μm |
| 二氧化硅填充的模塑化合物 | 光學(xué)耦合器 | 約 100VRMS/μm |
| SiO2 | 光耦仿真器和數(shù)字隔離器 | 約 500VRMS/μm |
光耦合器中的 LED 信號傳輸受老化的影響，因此升級到 ISOM8610 也提供了另一個優(yōu)勢。TI 的光耦合器不使用 LED。而是對二極管特性進(jìn)行仿真。這意味著光耦仿真器可以根據(jù)更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn) IEC 60747-17 進(jìn)行認(rèn)證并進(jìn)行壽命隔離測試。傳統(tǒng)光耦合器標(biāo)準(zhǔn) IEC 60747-5-5 不要求對隔離柵進(jìn)行壽命測試。因此，光耦仿真器可以在整個生命周期內(nèi)提供更好的器件性能和功能（隔離認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)詳解：光耦合器與光耦仿真器）。
圖 3-1 光耦合器橫截面
圖 3-2 光耦仿真器橫截面此外，ISOM86x0 光耦仿真器開關(guān)具有顯著的優(yōu)勢，例如更寬的溫度范圍和嚴(yán)格的過程控制，從而實現(xiàn)較小的器件間差異。由于沒有要補償?shù)睦匣?yīng)，因此仿真二極管輸入級的功耗比存在 LED 老化效應(yīng)并在器件使用壽命內(nèi)需要更高偏置電流的光耦合器更低。