新

2N7002L-Q1

預(yù)發(fā)布

低成本分立式 FET（N 溝道 MOSFET）

產(chǎn)品詳情

Bits (#) 1 Topology Integrated FET Direction control (typ) Fixed-direction Vin (min) (V) 0.95 Vin (max) (V) 7 Vout (min) (V) 0.95 Vout (max) (V) 6 Applications GPIO Prop delay (ns) 7 Technology family 2N Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Bits (#) 1 Topology Integrated FET Direction control (typ) Fixed-direction Vin (min) (V) 0.95 Vin (max) (V) 7 Vout (min) (V) 0.95 Vout (max) (V) 6 Applications GPIO Prop delay (ns) 7 Technology family 2N Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-23 (DBZ) 3 6.9204 mm2 2.92 x 2.37

  • 低導(dǎo)通電阻

  • 低柵極閾值電壓

  • 低輸入電容

  • 快速開關(guān)速度

  • 工作結(jié)溫和貯存溫度：
    • -65°C 至 +150°C

  • 2kV 柵極源 ESD 等級

  • 低導(dǎo)通電阻

  • 低柵極閾值電壓

  • 低輸入電容

  • 快速開關(guān)速度

  • 工作結(jié)溫和貯存溫度：
    • -65°C 至 +150°C

  • 2kV 柵極源 ESD 等級

該器件是一個(gè)采用塑料封裝的 N 通道場效應(yīng)晶體管。它旨在更大限度地降低導(dǎo)通狀態(tài)電阻，同時(shí)保持快速開關(guān)性能。

該器件是一個(gè)采用塑料封裝的 N 通道場效應(yīng)晶體管。它旨在更大限度地降低導(dǎo)通狀態(tài)電阻，同時(shí)保持快速開關(guān)性能。
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技術(shù)文檔

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* 數(shù)據(jù)表 2N7002L-Q1 6V N 通道 MOSFET 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2025年 12月 9日

設(shè)計(jì)與開發(fā)

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評估板

5-8-LOGIC-EVM — 支持 5 至 8 引腳 DCK、DCT、DCU、DRL 和 DBV 封裝的通用邏輯評估模塊

靈活的 EVM 設(shè)計(jì)用于支持具有 5 至 8 引腳數(shù)且采用 DCK、DCT、DCU、DRL 或 DBV 封裝的任何器件。
用戶指南: PDF
TI.com 上無現(xiàn)貨
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOT-23 (DBZ) 3 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

支持和培訓(xùn)

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所有內(nèi)容均由 TI 和社區(qū)貢獻(xiàn)者按“原樣”提供，并不構(gòu)成 TI 規(guī)范。請參閱使用條款。

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