主頁(yè) 電源管理 柵極驅(qū)動(dòng)器 半橋驅(qū)動(dòng)器

適用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

LM5113 不推薦用于新設(shè)計(jì)
該產(chǎn)品會(huì)持續(xù)為現(xiàn)有客戶提供。新設(shè)計(jì)應(yīng)考慮替代產(chǎn)品。
功能優(yōu)于所比較器件的普遍直接替代產(chǎn)品
LM5113-Q1 正在供貨 適用于 GaNFET 的汽車類 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Automotive qualified
功能與比較器件相同，且具有相同引腳
LMG1205 正在供貨 適用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 的 1.2A/5A 90V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Same specifications, DSBGA package

產(chǎn)品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (μs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Bootstrap supply voltage clamping, Split outputs on high and low side Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch GaNFET, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Peak output current (A) 5 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Rating Catalog Propagation delay time (μs) 0.03 Rise time (ns) 7 Fall time (ns) 3.5 Iq (mA) 0.15 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -5 Features Bootstrap supply voltage clamp, Bootstrap supply voltage clamping, Split outputs on high and low side Driver configuration Dual, Independent
DSBGA (YFX) 12 3.24 mm2 1.8 x 1.8 WSON (DPR) 10 16 mm2 4 x 4
  • 獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)
    TTL 邏輯輸入
  • 1.2A/5A 峰值拉/灌電流
  • 高側(cè)浮動(dòng)偏置電壓軌
    工作電壓高達(dá) 100VDC
  • 內(nèi)部自舉電源電壓鉗位
  • 分離輸出實(shí)現(xiàn)可調(diào)的
    開通/關(guān)斷強(qiáng)度
  • 0.6?/2.1? 下拉/上拉電阻
  • 快速傳播時(shí)間（典型值為 28ns）
  • 出色的傳播延遲匹配
    （典型值為 1.5ns）
  • 電源軌欠壓鎖定
  • 低功耗
  • 獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)
    TTL 邏輯輸入
  • 1.2A/5A 峰值拉/灌電流
  • 高側(cè)浮動(dòng)偏置電壓軌
    工作電壓高達(dá) 100VDC
  • 內(nèi)部自舉電源電壓鉗位
  • 分離輸出實(shí)現(xiàn)可調(diào)的
    開通/關(guān)斷強(qiáng)度
  • 0.6?/2.1? 下拉/上拉電阻
  • 快速傳播時(shí)間（典型值為 28ns）
  • 出色的傳播延遲匹配
    （典型值為 1.5ns）
  • 電源軌欠壓鎖定
  • 低功耗

LM5113 器件專為同時(shí)驅(qū)動(dòng)采用同步降壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè)增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET 而設(shè)計(jì)。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)工作電壓高達(dá) 100V 的增強(qiáng)模式 GaN FET。該器件采用自舉技術(shù)生成高側(cè)偏置電壓，并在內(nèi)部將其鉗位在 5.2V，從而防止柵極電壓超出增強(qiáng)模式 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。LM5113 的輸入與 TTL 邏輯兼容，并且無論 VDD 電壓如何，最高都能夠承受 14V 的輸入電壓。LM5113 具有分柵輸出，可獨(dú)立靈活地調(diào)節(jié)開通和關(guān)斷強(qiáng)度。

LMG1205 是 LM5113 的增強(qiáng)版。LMG1205 沿用了 LM5113 的設(shè)計(jì)，包括啟動(dòng)邏輯、電平轉(zhuǎn)換器和斷電 Vgs 鉗位增強(qiáng)，提供更加強(qiáng)大可靠的解決方案。

此外，LM5113 具有強(qiáng)勁的灌電流能力，可使柵極保持低電平狀態(tài)，從而防止開關(guān)操作期間發(fā)生意外導(dǎo)通。LM5113 的工作頻率最高可達(dá)數(shù) MHz。LM5113 采用標(biāo)準(zhǔn)的 WSON-10 引腳封裝和 12 凸點(diǎn) DSBGA 封裝。WSON-10 引腳封裝包含外露焊盤，有助于提升散熱性能。DSBGA 封裝具有緊湊型特點(diǎn)，并且封裝電感極低。

LM5113 器件專為同時(shí)驅(qū)動(dòng)采用同步降壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè)增強(qiáng)模式氮化鎵 (GaN) FET 而設(shè)計(jì)。浮動(dòng)高側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)工作電壓高達(dá) 100V 的增強(qiáng)模式 GaN FET。該器件采用自舉技術(shù)生成高側(cè)偏置電壓，并在內(nèi)部將其鉗位在 5.2V，從而防止柵極電壓超出增強(qiáng)模式 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。LM5113 的輸入與 TTL 邏輯兼容，并且無論 VDD 電壓如何，最高都能夠承受 14V 的輸入電壓。LM5113 具有分柵輸出，可獨(dú)立靈活地調(diào)節(jié)開通和關(guān)斷強(qiáng)度。

LMG1205 是 LM5113 的增強(qiáng)版。LMG1205 沿用了 LM5113 的設(shè)計(jì)，包括啟動(dòng)邏輯、電平轉(zhuǎn)換器和斷電 Vgs 鉗位增強(qiáng)，提供更加強(qiáng)大可靠的解決方案。

此外，LM5113 具有強(qiáng)勁的灌電流能力，可使柵極保持低電平狀態(tài)，從而防止開關(guān)操作期間發(fā)生意外導(dǎo)通。LM5113 的工作頻率最高可達(dá)數(shù) MHz。LM5113 采用標(biāo)準(zhǔn)的 WSON-10 引腳封裝和 12 凸點(diǎn) DSBGA 封裝。WSON-10 引腳封裝包含外露焊盤，有助于提升散熱性能。DSBGA 封裝具有緊湊型特點(diǎn)，并且封裝電感極低。
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類型 標(biāo)題 下載最新的英語(yǔ)版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 LM5113 80V 1.2A、5A 半橋 GaN 驅(qū)動(dòng)器 數(shù)據(jù)表 (Rev. I) PDF | HTML 英語(yǔ)版 (Rev.I) PDF | HTML 2019年 12月 12日

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)