TAS2120
- 強(qiáng)大的 D 類放大器
- 8.2W 輸出功率 (rms),1% THD+N
- 14.75V 升壓和 5.1A 最大電流限制
- 出色的效率
- 在 1W、8Ω 負(fù)載下,效率高達(dá) 91%
- 14.7mW 空閑通道功率,噪聲門關(guān)閉
- 5.3mW 空閑通道功率,噪聲門開啟
- 集成 1.8V VDD Y 橋
- 先進(jìn)的 H 類升壓,具有 33mV 階躍大小
- 高性能音頻通道
- 4.2μV A 加權(quán)空閑通道噪聲
- 114.4dB 動(dòng)態(tài)范圍
- -90dB THD+N
- 可通過 ERC 和 SSM 實(shí)現(xiàn)低 EMI 性能
- < 1μs 芯片間群延遲匹配
- 高級(jí)集成特性
- 信號(hào)檢測(cè)高效模式
- 高精度電源電壓監(jiān)測(cè)器和溫度傳感器
- 可編程電池電流限制,階躍大小為 39mA
- 兩個(gè)器件之間實(shí)現(xiàn)升壓共享
- 外部 H 類升壓控制算法
- 易于使用的特性
- HW 引腳控制或基于 I2C 的控制
- 內(nèi)部升壓或外部 PVDD 電源
- 基于時(shí)鐘的上電/斷電
- 自動(dòng)時(shí)鐘速率檢測(cè):16 至 192 kHz
- 無 MCLK 運(yùn)行
- 熱保護(hù)和過流保護(hù)
- 電源和用戶接口
- VBAT:2.5V 至 5.5V
- VBAT_SNS:2.5V 至 10.0V
- VDD:1.65V 至 1.95V
- IOVDD:1.8V 或 3.3V
- I2S/TDM:8 通道
- 26 引腳 0.4mm 間距 QFN 封裝
TAS2120 是一款單聲道、數(shù)字輸入 D 類音頻放大器,具有集成升壓,可在電池供電的系統(tǒng)中提供更高的功率。
TAS2120 經(jīng)過優(yōu)化,可以為音樂播放和語音通話的實(shí)際用例提供出色的電池續(xù)航表現(xiàn)。先進(jìn)的效率優(yōu)化功能(如 Y 橋和其他算法)使器件能夠在工作的所有電源區(qū)域內(nèi)提供出色的效率。該 D 類放大器能夠使用集成的 H 類升壓提供 8.2W 輸出功率。
TAS2120 器件支持基于超前算法的最佳升壓電壓電平,以匹配音頻信號(hào)的輸出。這可以提供峰值輸出所需的所有功率,同時(shí)可顯著降低平均功耗。
最多四個(gè)器件可通過 I2S/TDM 和 I2C 接口共用公共總線。TAS2120 還支持基于 HW 引腳的預(yù)定義控件,這些控件可以將器件配置為所需的工作模式,而無需任何 I2C 控件。
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| * | 數(shù)據(jù)表 | TAS2120 8.2W 具有 集成 14.75V H 類升壓 的單聲道數(shù)字輸入 D 類揚(yáng)聲器放大器 數(shù)據(jù)表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英語版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2025年 9月 8日 |
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設(shè)計(jì)和開發(fā)
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評(píng)估板
TAS2120EVM — TAS2120 評(píng)估模塊
TAS2120EVM 旨在演示 TAS2120 在單聲道配置中的性能。該工具利用 AC-MB 為評(píng)估模塊提供 USB 轉(zhuǎn)音頻接口。最多四個(gè)器件可通過 I2S/TDM 和 I2C 接口共用公共總線。TAS2120EVM 支持組合使用兩個(gè) TAS2120EVM 或一個(gè) TAS2120EVM 和一個(gè) TAS2320EVM 的雙單聲道配置。
評(píng)估模塊 (EVM) 用 GUI
PurePath? Console 3 Apps for TAS2x20 EVM
模擬工具
PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設(shè)計(jì)和仿真工具
PSpice? for TI 可提供幫助評(píng)估模擬電路功能的設(shè)計(jì)和仿真環(huán)境。此功能齊全的設(shè)計(jì)和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費(fèi)使用,包括業(yè)內(nèi)超大的模型庫之一,涵蓋我們的模擬和電源產(chǎn)品系列以及精選的模擬行為模型。
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| 封裝 | 引腳 | CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| VQFN-HR (RBG) | 26 | Ultra Librarian |
訂購和質(zhì)量
包含信息:
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- 引腳鍍層/焊球材料
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- 鑒定摘要
- 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息:
- 制造廠地點(diǎn)
- 封裝廠地點(diǎn)
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