產(chǎn)品詳情

Number of channels 4 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Uni-Directional Package name DFN0603 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 35 IO capacitance (typ) (pF) 0.45 IEC 61000-4-2 contact (±V) 12000 IEC 61000-4-5 (A) 2.5 Clamping voltage (V) 10 Dynamic resistance (typ) 0.8 Interface type HDMI 2.0, USB 3.0 Breakdown voltage (min) (V) 6.5 IO leakage current (max) (nA) 1 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Number of channels 4 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Uni-Directional Package name DFN0603 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 35 IO capacitance (typ) (pF) 0.45 IEC 61000-4-2 contact (±V) 12000 IEC 61000-4-5 (A) 2.5 Clamping voltage (V) 10 Dynamic resistance (typ) 0.8 Interface type HDMI 2.0, USB 3.0 Breakdown voltage (min) (V) 6.5 IO leakage current (max) (nA) 1 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
X2SON (DPW) 4 0.64 mm2 0.8 x 0.8
  • 為低壓輸入輸出 (IO) 接口提供系統(tǒng)級靜電放電 (ESD) 保護(hù)
  • IO 電容值 0.45pF（典型值）
  • IEC 61000-4-2 4 級
    • ±12kV（接觸放電）
    • ±15kV（空氣間隙放電)
  • IEC 61000-4-5（浪涌）：2.5A (8/20μs)
  • 直流擊穿電壓 6.5V（最小值）
  • 超低泄露電流 1nA（最大值）
  • 低 ESD 鉗位電壓
  • 工業(yè)溫度范圍：-40°C 至 125°C
  • 最大限度減少空間的 0.8mm x 0.8mm DPW 封裝

應(yīng)用范圍

  • USB 3.0
  • HDMI 2.0
  • 低壓差分信令 (LVDS)
  • DisplayPort
  • PCI Express 接口
  • eSata 接口

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 為低壓輸入輸出 (IO) 接口提供系統(tǒng)級靜電放電 (ESD) 保護(hù)
  • IO 電容值 0.45pF（典型值）
  • IEC 61000-4-2 4 級
    • ±12kV（接觸放電）
    • ±15kV（空氣間隙放電)
  • IEC 61000-4-5（浪涌）：2.5A (8/20μs)
  • 直流擊穿電壓 6.5V（最小值）
  • 超低泄露電流 1nA（最大值）
  • 低 ESD 鉗位電壓
  • 工業(yè)溫度范圍：-40°C 至 125°C
  • 最大限度減少空間的 0.8mm x 0.8mm DPW 封裝

應(yīng)用范圍

  • USB 3.0
  • HDMI 2.0
  • 低壓差分信令 (LVDS)
  • DisplayPort
  • PCI Express 接口
  • eSata 接口

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TPD4E110 是一款具有超低電容值的單向靜電放電 (ESD) 保護(hù)器件。 此器件由一個中央 ESD 鉗位組成，并且在每個通道中特有兩個隱藏的二極管，以減少電容負(fù)載。 每條通道額定 ESD 沖擊消散值高于 IEC61000-4-2 4 級國際標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的最高水平。 TPD4E110 的超低負(fù)載電容值使得此器件非常適合于保護(hù)高速信號引腳。

TPD4E110 是一款具有超低電容值的單向靜電放電 (ESD) 保護(hù)器件。 此器件由一個中央 ESD 鉗位組成，并且在每個通道中特有兩個隱藏的二極管，以減少電容負(fù)載。 每條通道額定 ESD 沖擊消散值高于 IEC61000-4-2 4 級國際標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的最高水平。 TPD4E110 的超低負(fù)載電容值使得此器件非常適合于保護(hù)高速信號引腳。

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技術(shù)文檔

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類型 標(biāo)題 下載最新的英語版本 日期
* 數(shù)據(jù)表 TPD4E110 4 通道保護(hù)解決方案，用于超高速（高達(dá) 6GBPS）接口 數(shù)據(jù)表 (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2014年 5月 12日
選擇指南 System-Level ESD Protection Guide (Rev. E) 2025年 8月 5日
應(yīng)用手冊 用于 USB 接口的 ESD 和浪涌保護(hù) (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2024年 1月 23日
應(yīng)用簡報(bào) 針對 HDMI 應(yīng)用的 ESD 保護(hù) (Rev. A) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2023年 11月 9日
應(yīng)用手冊 ESD 包裝和布局指南 (Rev. B) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 9月 14日
白皮書 Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments 2016年 2月 10日

設(shè)計(jì)和開發(fā)

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評估板

ESDEVM — 適用于 ESD 二極管封裝（包括 0402、0201 等）的通用評估模塊

靜電敏感器件 (ESD) 評估模塊 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 產(chǎn)品系列的開發(fā)平臺。為了測試任何型號的器件，該電路板支持所有傳統(tǒng)的 ESD 封裝結(jié)構(gòu)。器件可以焊接到相應(yīng)封裝結(jié)構(gòu)，然后進(jìn)行測試。如果是典型的高速 ESD 二極管，則應(yīng)采用阻抗受控布局來獲取 S 參數(shù)并剝離電路板引線。如果是非高速 ESD 二極管，則應(yīng)采用有布線連接到測試點(diǎn)的封裝結(jié)構(gòu)，以便輕松運(yùn)行直流測試，例如擊穿電壓、保持電壓、漏電流等。該電路板布局布線還可以通過將信號引腳短接至信號所在的位置，輕松地將任何器件引腳連接到電源 (VCC) 或地。
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TI.com 上無現(xiàn)貨
仿真模型

TPD4E110 IBIS Model

SLVMA71.ZIP (2 KB) - IBIS Model
下載
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
X2SON (DPW) 4 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點(diǎn)
  • 封裝廠地點(diǎn)

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支持和培訓(xùn)

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