產(chǎn)品詳情

Protocols DDR3 Configuration 2:1 SPDT Number of channels 12 Bandwidth (MHz) 1675 Supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (min) (V) 3 Ron (typ) (mΩ) 8000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.6 Supply current (typ) (μA) 300 ESD HBM (typ) (kV) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Crosstalk (dB) -71 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 5.6 CON (typ) (pF) 2 Off isolation (typ) (dB) -42 OFF-state leakage current (max) (μA) 1 Propagation delay time (μs) 0.00004 Ron (max) (mΩ) 12000 Ron channel match (max) (Ω) 1 RON flatness (typ) (Ω) 1.5 Turnoff time (disable) (max) (ns) 5 Turnon time (enable) (max) (ns) 7 VIH (min) (V) 2 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
Protocols DDR3 Configuration 2:1 SPDT Number of channels 12 Bandwidth (MHz) 1675 Supply voltage (max) (V) 3.6 Supply voltage (min) (V) 3 Ron (typ) (mΩ) 8000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 3.6 Supply current (typ) (μA) 300 ESD HBM (typ) (kV) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Crosstalk (dB) -71 ESD CDM (kV) 1 Input/output continuous current (max) (mA) 128 COFF (typ) (pF) 5.6 CON (typ) (pF) 2 Off isolation (typ) (dB) -42 OFF-state leakage current (max) (μA) 1 Propagation delay time (μs) 0.00004 Ron (max) (mΩ) 12000 Ron channel match (max) (Ω) 1 RON flatness (typ) (Ω) 1.5 Turnoff time (disable) (max) (ns) 5 Turnon time (enable) (max) (ns) 7 VIH (min) (V) 2 VIL (max) (V) 0.8 Rating Catalog
WQFN (RUA) 42 31.5 mm2 9 x 3.5
  • 與 DDR3 SDRAM 標準 (JESD79-3D) 兼容
  • 1.675GHz 的寬帶寬
  • 低傳播延遲（典型值 tpd = 40ps）
  • 低位到位偏斜（典型值 tsk(o) = 6ps）
  • 低而平坦的導通電阻
    （典型值 rON = 8Ω）
  • 低輸入／輸出電容
    （典型值 CON = 5.6pF）
  • 低串擾（XTALK = -43dB，
    這是在 250MHz 時的典型值）
  • 3V 至 3.6V 的 VCC工作范圍
  • 數(shù)據(jù) I/O 端口上的軌至軌開關
    （0 至 VCC）
  • 用于上部及下部 6 通道的分離開關控制邏輯
  • 專用使能邏輯電路支持高阻抗 (Hi-Z) 模式
  • I關閉保護防止斷電狀態(tài) (VCC = 0V) 下的電流泄漏
  • 靜電放電 (ESD) 性能測試符合 JESD22 標準
    • 2000V 人體模型
      （A114B，II 類）
    • 1000V 充電器件模型 (C101)
  • 42 引腳 RUA 封裝（9mm × 3.5mm，0.5mm 焊球間距）

應用范圍

  • DDR3 信號開關
  • DIMM 模塊
  • 筆記本／臺式機
  • 服務器
  • 與 DDR3 SDRAM 標準 (JESD79-3D) 兼容
  • 1.675GHz 的寬帶寬
  • 低傳播延遲（典型值 tpd = 40ps）
  • 低位到位偏斜（典型值 tsk(o) = 6ps）
  • 低而平坦的導通電阻
    （典型值 rON = 8Ω）
  • 低輸入／輸出電容
    （典型值 CON = 5.6pF）
  • 低串擾（XTALK = -43dB，
    這是在 250MHz 時的典型值）
  • 3V 至 3.6V 的 VCC工作范圍
  • 數(shù)據(jù) I/O 端口上的軌至軌開關
    （0 至 VCC）
  • 用于上部及下部 6 通道的分離開關控制邏輯
  • 專用使能邏輯電路支持高阻抗 (Hi-Z) 模式
  • I關閉保護防止斷電狀態(tài) (VCC = 0V) 下的電流泄漏
  • 靜電放電 (ESD) 性能測試符合 JESD22 標準
    • 2000V 人體模型
      （A114B，II 類）
    • 1000V 充電器件模型 (C101)
  • 42 引腳 RUA 封裝（9mm × 3.5mm，0.5mm 焊球間距）

應用范圍

  • DDR3 信號開關
  • DIMM 模塊
  • 筆記本／臺式機
  • 服務器

TS3DDR3812 是一款專門針對 DDR3 應用而設計的 12 通道，1:2 多路復用器／多路解復用器開關。 該產(chǎn)品采用 3 至 3.6V 電源供電，提供低而平坦的導通狀態(tài)電阻以及低 I/O 電容，從而可實現(xiàn) 1.675GHz 的典型帶寬。

通道 A0 至 A11 分為兩個 6 位組，可通過兩組名為 SEL1 與 SEL2 的數(shù)字輸入進行獨立控制。 這些選擇輸入可控制每個 6 位 DDR3 信號源的開關位置，使它們能夠準確發(fā)送至兩個端點中的一個。 此外，本開關還可用于將單個端點與兩個 6 位 DDR3 信號源中的一個連接起來。 對于 12 位 DDR3 信號源的開關，只需外部連接 SEL1 與 SEL2，便可通過一個單個 GPIO 輸入控制所有 12 個通道。 一個 EN 輸入可在不使用時使整個芯片處于高阻抗 (Hi-Z) 狀態(tài)。

這些特性使 TS3DDR3812 成為存儲器、模擬／數(shù)字視頻、局域網(wǎng) (LAN) 以及其它高速信號開關應用中的理想選擇。

TS3DDR3812 是一款專門針對 DDR3 應用而設計的 12 通道，1:2 多路復用器／多路解復用器開關。 該產(chǎn)品采用 3 至 3.6V 電源供電，提供低而平坦的導通狀態(tài)電阻以及低 I/O 電容，從而可實現(xiàn) 1.675GHz 的典型帶寬。

通道 A0 至 A11 分為兩個 6 位組，可通過兩組名為 SEL1 與 SEL2 的數(shù)字輸入進行獨立控制。 這些選擇輸入可控制每個 6 位 DDR3 信號源的開關位置，使它們能夠準確發(fā)送至兩個端點中的一個。 此外，本開關還可用于將單個端點與兩個 6 位 DDR3 信號源中的一個連接起來。 對于 12 位 DDR3 信號源的開關，只需外部連接 SEL1 與 SEL2，便可通過一個單個 GPIO 輸入控制所有 12 個通道。 一個 EN 輸入可在不使用時使整個芯片處于高阻抗 (Hi-Z) 狀態(tài)。

這些特性使 TS3DDR3812 成為存儲器、模擬／數(shù)字視頻、局域網(wǎng) (LAN) 以及其它高速信號開關應用中的理想選擇。

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* 數(shù)據(jù)表 適用于DDR3 應用的12 通道，1:2 多路復用器／多路解復用器開關 數(shù)據(jù)表 (Rev. B) 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2013年 10月 21日

設計與開發(fā)

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仿真模型

TS3DDR3812 HSpice Model

SCDM134.ZIP (113 KB) - HSpice Model
下載
仿真模型

TS3DDR3812 IBIS

SCDM135.ZIP (24 KB) - IBIS Model
下載
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
WQFN (RUA) 42 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
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