產(chǎn)品詳情

Rating Catalog Architecture 3-phase, Integrated FET Control interface 6xPWM Peak output current (A) 5 RDS(ON) (HS + LS) (Ω) 0.25 VDS (max) (V) 650 Features Integrated GaN FET Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture 3-phase, Integrated FET Control interface 6xPWM Peak output current (A) 5 RDS(ON) (HS + LS) (Ω) 0.25 VDS (max) (V) 650 Features Integrated GaN FET Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (REN) 65 144 mm2 12 x 12 VQFN (REN) 68 144 mm2 12 x 12
  • 具有集成 650V 增強模式 GaNFET 的三相 PWM 電機驅(qū)動器
  • 高達 450V 的工作電壓
    • 650V 絕對最大電壓
  • 高輸出電流能力：5A 峰值電流
  • 低導通損耗：每個 GaN FET 具有低導通狀態(tài)電阻：TA = 25°C 時，RDS(ON) 為 205mΩ
  • 低開關損耗：零反向恢復、低輸出電容、壓擺率控制
  • 低失真：< 135ns 的超低傳播延遲，< 200ns 的超低自適應死區(qū)時間
  • 具有相位節(jié)點電壓壓擺率控制功能的集成式柵極驅(qū)動器
    • 5V/ns 至 40V/ns 壓擺率選項
  • 集成式快速自舉 GaN 整流器
  • 低側(cè) GaN FET 開源引腳，支持 1、2 或 3 分流器電流檢測
  • 支持高達 100kHz 硬開關
  • 集成用于電流檢測的放大器
  • 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入（高達 20V）
  • BRAKE 引腳，可一起導通所有低側(cè) GaNFET
  • 集成溫度傳感器
  • 電機相位 (OUTx) 與相鄰引腳的間隙大于 1.6mm。
  • VM 和 GND 之間的間隙為 2mm
  • 集成式保護功能
    • GVDD 和自舉欠壓鎖定
    • 低側(cè) GaNFET 的過流保護
    • 過熱保護
    • PWM 自適應死區(qū)時間插入
    • 對全部三個相位進行電流限制保護
    • 故障條件指示引腳 (nFAULT)
  • 具有集成 650V 增強模式 GaNFET 的三相 PWM 電機驅(qū)動器
  • 高達 450V 的工作電壓
    • 650V 絕對最大電壓
  • 高輸出電流能力：5A 峰值電流
  • 低導通損耗：每個 GaN FET 具有低導通狀態(tài)電阻：TA = 25°C 時，RDS(ON) 為 205mΩ
  • 低開關損耗：零反向恢復、低輸出電容、壓擺率控制
  • 低失真：< 135ns 的超低傳播延遲，< 200ns 的超低自適應死區(qū)時間
  • 具有相位節(jié)點電壓壓擺率控制功能的集成式柵極驅(qū)動器
    • 5V/ns 至 40V/ns 壓擺率選項
  • 集成式快速自舉 GaN 整流器
  • 低側(cè) GaN FET 開源引腳，支持 1、2 或 3 分流器電流檢測
  • 支持高達 100kHz 硬開關
  • 集成用于電流檢測的放大器
  • 支持 3.3V 和 5V 邏輯輸入（高達 20V）
  • BRAKE 引腳，可一起導通所有低側(cè) GaNFET
  • 集成溫度傳感器
  • 電機相位 (OUTx) 與相鄰引腳的間隙大于 1.6mm。
  • VM 和 GND 之間的間隙為 2mm
  • 集成式保護功能
    • GVDD 和自舉欠壓鎖定
    • 低側(cè) GaNFET 的過流保護
    • 過熱保護
    • PWM 自適應死區(qū)時間插入
    • 對全部三個相位進行電流限制保護
    • 故障條件指示引腳 (nFAULT)

DRV7308 是一款三相智能電源模塊 (IPM)，其中包含 205mΩ、650V 增強型氮化鎵 (GaN)，用于驅(qū)動高達 450V 直流電源軌的三相 BLDC/PMSM 電機。這類應用包括 BLDC 電機的場定向控制 (FOC)、正弦電流控制和梯形電流控制（六步）。該器件有助于為采用 QFN 12mm x 12mm 封裝、在 20kHz 開關頻率下運行的三相調(diào)制 FOC 驅(qū)動型 250W 電機驅(qū)動應用實現(xiàn) 99% 以上的效率，無需散熱器。該器件有助于實現(xiàn)超靜音運行和超短的死區(qū)時間。使用具有自舉電流限制功能的集成自舉整流器，無需使用外部自舉二極管。

DRV7308 是一款三相智能電源模塊 (IPM)，其中包含 205mΩ、650V 增強型氮化鎵 (GaN)，用于驅(qū)動高達 450V 直流電源軌的三相 BLDC/PMSM 電機。這類應用包括 BLDC 電機的場定向控制 (FOC)、正弦電流控制和梯形電流控制（六步）。該器件有助于為采用 QFN 12mm x 12mm 封裝、在 20kHz 開關頻率下運行的三相調(diào)制 FOC 驅(qū)動型 250W 電機驅(qū)動應用實現(xiàn) 99% 以上的效率，無需散熱器。該器件有助于實現(xiàn)超靜音運行和超短的死區(qū)時間。使用具有自舉電流限制功能的集成自舉整流器，無需使用外部自舉二極管。
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設計和開發(fā)

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評估板

DRV7308EVM — DRV7308 評估模塊

DRV7308EVM 是專為全面評估 DRV7308 電機驅(qū)動器而設計的模塊。該器件是一款 250W、450V 集成式三路氮化鎵 (GaN) FET 半橋柵極驅(qū)動器，適用于電機驅(qū)動器應用。DRV7308EVM 提供三個 650V E-mode GaN FET 半橋，能夠直接驅(qū)動三相無刷直流電機。


此套件需要使用 C2000? LAUNCHXL-F2800137 LaunchPad?，用于操作和監(jiān)控 DRV7308 驅(qū)動器。LAUNCHXL-F2800137 模塊提供 PWM、故障響應和進一步的器件控制。

用戶指南: PDF | HTML
英語版: PDF | HTML
TI.com 上無現(xiàn)貨
計算工具

DRV7308-THERMAL-CALC — Thermal calculator for the DRV7308 to estimate power loss and device temp

Thermal calculator for the DRV7308 to estimate power loss and device temperature
支持的產(chǎn)品和硬件

支持的產(chǎn)品和硬件

產(chǎn)品
Gallium nitride (GaN) motor drivers
  • DRV7308 — 具有保護和電流檢測功能的 650V、205mΩ 三相集成式 GaN 智能電源模塊 (IPM)
認證

DRV7308EVM-CERT — Declaration of Conformity compliance certification for DRV7308EVM

Declaration of Conformity (DoC) compliance certification for the DRV7308EVM
支持的產(chǎn)品和硬件

支持的產(chǎn)品和硬件

產(chǎn)品
Gallium nitride (GaN) motor drivers
  • DRV7308 — 具有保護和電流檢測功能的 650V、205mΩ 三相集成式 GaN 智能電源模塊 (IPM)
硬件開發(fā)
評估板
下載選項
參考設計

TIDA-010273 — 250W 電機逆變器參考設計

此參考設計是一款適用于大型電器或類似應用的 250W 電機驅(qū)動器，展示了基于 GaN IPM DRV7308 的高效率且不帶散熱器的電機逆變器，還演示了采用 UCC28911 的低待機功耗設計。此參考設計展示了一種通過 FAST? 軟件編碼器或 eSMO 實現(xiàn)三相 PMSM 無傳感器 FOC 控制的方法。此參考設計采用模塊化設計，支持 C2000? MCU 和 MSPM0 系列微控制器子板位于同一主板上。此參考設計提供的硬件和軟件已經(jīng)過測試，而且可隨時使用，有助于加快開發(fā)，從而縮短產(chǎn)品上市時間。該設計指南提供了設計詳細信息和測試結(jié)果。
設計指南: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
VQFN (REN) 65 Ultra Librarian
VQFN (REN) 68 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測
包含信息：
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

推薦產(chǎn)品可能包含與 TI 此產(chǎn)品相關的參數(shù)、評估模塊或參考設計。

支持和培訓

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