ZHCSZD6A April 2025 – December 2025 BQ25630
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 說(shuō)明（續(xù)）
- 5 器件比較
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
-
8 詳細(xì)說(shuō)明
- 8.1 概述
- 8.2 功能方框圖
- 8.3
特性說(shuō)明
- 8.3.1 上電復(fù)位 (POR)
- 8.3.2 通過(guò)電池實(shí)現(xiàn)器件上電
- 8.3.3 USB-C 檢測(cè)
- 8.3.4 通過(guò)輸入源實(shí)現(xiàn)器件上電
- 8.3.5 電源路徑管理
- 8.3.6 電池充電管理
- 8.3.7 USB On-The-Go (OTG)
- 8.3.8 用于監(jiān)測(cè)的集成 12 位 ADC
- 8.3.9 狀態(tài)輸出（INT 、PG ）
- 8.3.10 BATFET 控制
- 8.3.11 保護(hù)功能
- 8.4 器件功能模式
- 8.5 編程
- 8.6 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11修訂歷史記錄
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- YBG|30
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
6 引腳配置和功能
圖 6-1 BQ25630 引腳排列表 6-1 引腳功能
| 引腳 | 類型(1) | 說(shuō)明 | |
|---|---|---|---|
| 名稱 | 編號(hào) | ||
| BAT | E1 | P | 電池組連接的正極端子 - 內(nèi)部 BATFET 連接在 SYS 和 BAT 之間。將一個(gè) 10μF 陶瓷電容器盡可能靠近該 BAT 引腳和 GND 連接。 |
| E2 | |||
| E3 | |||
| BATP | F1 | AI | 正極電池電壓檢測(cè) – 開(kāi)爾文連接到電池正極端子。在引腳和電池正極端子之間串聯(lián) 100Ω 電阻。 |
| BTST | B5 | P | PWM 高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器電源 – 在內(nèi)部，BTST 連接到自舉二極管的陰極。在 SW 和 BTST 之間連接 47nF 自舉電容器。 |
| CE | C1 | DI | 低電平有效充電使能引腳 – 當(dāng) EN_CHG 位為 1 且 CE 引腳為低電平時(shí)，會(huì)啟用電池充電。必須將 CE 引腳拉至高電平或低電平，不要保持懸空。 |
| D+ | F2 | AIO | 正 USB 數(shù)據(jù)線 – 基于 D+/D– 的 USB 主機(jī)/充電端口檢測(cè)。該檢測(cè)包括 BC1.2 和非標(biāo)準(zhǔn)適配器中的數(shù)據(jù)接觸檢測(cè) (DCD)、初級(jí)檢測(cè)和次級(jí)檢測(cè)。 |
| D? | F3 | AIO | 負(fù) USB 數(shù)據(jù)線 – 基于 D+/D– 的 USB 主機(jī)/充電端口檢測(cè)。該檢測(cè)包括 BC1.2 和非標(biāo)準(zhǔn)適配器中的數(shù)據(jù)接觸檢測(cè) (DCD)、初級(jí)檢測(cè)和次級(jí)檢測(cè)。 |
| CC1 | F4 | AIO | Type-C 配置通道 1 – 用于 USB-C 連接器方向、連接檢測(cè)、連接移除和電流功能。 |
| CC2 | F5 | AIO | Type-C 配置通道 2 – 用于 USB-C 連接器方向、連接檢測(cè)、連接移除和電流功能。 |
| INT | C5 | DO | 開(kāi)漏低電平有效中斷輸出 – 通過(guò) 10k? 電阻器將/INT 連接到邏輯軌。INT 引腳向主機(jī)發(fā)送一個(gè)低電平有效的 256μs 脈沖，以報(bào)告充電器器件狀態(tài)和故障。 |
| PG | C2 | DO | 開(kāi)漏低電平有效電源正常狀態(tài)指示器 – 通過(guò) 2.2k? 電阻器連接到上拉電源軌。低電平表示高于 PG_TH 的有效輸入源。 |
| PGND | A4 | P | 接地回路 |
| B4 | |||
| C4 | |||
| PMID | A2 | P | 阻斷 MOSFET 連接 – 鑒于總輸入電容，請(qǐng)將 1μF 放置在 VBUS 上，將其余部分放置在 PMID 上，盡可能靠近 IC。典型值：10μF 和 0.1μF 陶瓷電容器并聯(lián)。 |
| B2 | |||
| QON | D4 | DI | BATFET 使能或系統(tǒng)電源復(fù)位控制輸入 – 拉低以從運(yùn)輸模式或待機(jī)模式喚醒，或保持低電平以進(jìn)行系統(tǒng)復(fù)位。該引腳有一個(gè)內(nèi)部上拉電阻器用于保持默認(rèn)的高電平邏輯。 |
| REGN | A5 | P | 內(nèi)部線性穩(wěn)壓器輸出 – REGN 在內(nèi)部連接到自舉二極管的陽(yáng)極。在 REGN 與電源地之間連接一個(gè) 10V 或更高額定值的 4.7μF 陶瓷電容器。電容器必須靠近 IC 放置。REGN LDO 輸出用于 TS 引腳電阻分壓器的內(nèi)部 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電壓和偏置。 |
| SCL | D5 | DI | I2C 接口時(shí)鐘 – 通過(guò) 10kΩ 電阻器將 SCL 連接到邏輯軌。 |
| SDA | E5 | DIO | I2C 接口數(shù)據(jù) – 通過(guò) 10kΩ 電阻器將 SDA 連接到邏輯軌。 |
| SW | A3 | P | 連接到輸出電感器的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn) – SW 在內(nèi)部連接到 N 溝道 HSFET 的源極和 N 溝道 LSFET 的漏極。在 SW 和 BTST 之間連接 47nF 自舉電容器。 |
| B3 | |||
| C3 | |||
| SYS | D1 | P | 連接到系統(tǒng)的充電器輸出電壓 – 連接到系統(tǒng)的降壓轉(zhuǎn)換器輸出連接點(diǎn)。內(nèi)部 BATFET 連接在 SYS 和 BAT 之間。將 20μF 緊靠 SYS 引腳連接。 |
| D2 | |||
| D3 | |||
| TS | E4 | AI | 溫度鑒定電壓輸入 – 連接負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻。使用電阻分壓器將溫度窗口從 TS 引腳偏置基準(zhǔn) 編程到TS，然后到 GND。當(dāng) TS 引腳電壓超出范圍時(shí)，充電暫停。建議使用 103AT-2 10kΩ 熱敏電阻。 |
| VBUS | A1 | P | 充電器輸入電壓 – 內(nèi)部 N 溝道反向阻斷 MOSFET (RBFET) 連接在 VBUS 和 PMID 之間，確保 VBUS 位于源極上。在 VBUS 和 GND 之間放置一個(gè) 1μF 陶瓷電容器，使其盡可能靠近 IC。 |
| B1 | |||
(1) AI = 模擬輸入，AO = 模擬輸出，AIO = 模擬輸入/輸出，DI = 數(shù)字輸入，DO = 數(shù)字輸出，DIO = 數(shù)字輸入/輸出，P = 電源