ZHCSZD6A April 2025 – December 2025 BQ25630
PRODUCTION DATA
當連接了適配器且僅當器件處于正向模式時,主機才能通過寫入 EN_HIZ = 1b 將器件置于高阻抗模式。在高阻抗模式下,RBFET (Q1)、HSFET (Q2) 和 LSFET (Q3) 將關斷。RBFET 和 HSFET 會阻止電流流入和流出 VBUS,從而使 VBUS 引腳進入高阻抗狀態(tài)。BATFET (Q4) 將導通以將 BAT 連接到 SYS。在高阻抗模式期間,REGN 被禁用,數字時鐘減慢以節(jié)省功耗。