ZHCSKQ6B July 2020 – June 2021 DRV8106-Q1
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
柵極驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)度 IDRIVE 的選擇依據(jù)包括:外部 MOSFET 的柵漏電荷,以及開關(guān)節(jié)點(diǎn)的目標(biāo)上升和下降時(shí)間。對(duì)于給定的 MOSFET,如果選擇的 IDRIVE 過低,則 MOSFET 可能無法在配置的 tDRIVE 時(shí)間內(nèi)完全導(dǎo)通或關(guān)斷,并且可以斷定出現(xiàn)柵極故障。此外,較長的上升和下降時(shí)間將導(dǎo)致外部功率 MOSFET 中出現(xiàn)更高的開關(guān)功率損耗。建議使用所需的外部 MOSFET 和負(fù)載在系統(tǒng)中驗(yàn)證這些值,以確定適合的設(shè)置。
高側(cè)和低側(cè)外部 MOSFET 的 IDRIVEP 和 IDRIVEN 均可在 SPI 器件型號(hào)上獨(dú)立調(diào)整。在硬件接口器件型號(hào)上,同時(shí)在 IDRIVE 引腳上選擇拉電流和灌電流設(shè)置。
對(duì)于具有已知柵漏電荷 (QGD)、所需上升時(shí)間 (trise) 和所需下降時(shí)間 (tfall) 的 MOSFET,可使用公式 3 和公式 4 分別計(jì)算 IDRIVEP 和 IDRIVEN 的近似值。
以輸入設(shè)計(jì)參數(shù)為例,我們可以計(jì)算 IDRIVEP 和 IDRIVEN 的近似值。
根據(jù)這些計(jì)算結(jié)果,為 IDRIVEP 選擇了值 6 mA。
根據(jù)這些計(jì)算結(jié)果,為 IDRIVEN 選擇了值 16mA。