ZHCSML7B February 2020 – August 2021 DRV8210
PRODUCTION DATA
該器件的總功耗由三個主要部分組成：靜態(tài)電源電流耗散（（PVM 和 PVCC）、功率 MOSFET 開關(guān)損耗（PSW）及功率 MOSFET RDS(on）（導(dǎo)通）損耗（PRDS）。雖然其他因素可能會造成額外的功率損耗，但與這三個主要因素相比，其他因素通常并不重要。
可以根據(jù)標(biāo)稱電機(jī)電源電壓（VVM）和 IVM 運(yùn)行模式電流規(guī)格來計算 PVM。可以根據(jù)標(biāo)稱邏輯電源電壓（VVCC）和 IVCC 運(yùn)行模式電流規(guī)格來計算 PVCC。當(dāng) VVCC < VVM 時，DRV8210 會從 VM 引腳而非 VCC 引腳汲取有效電流。在這種工作條件下，IVCC 通常小于 500nA（請參閱圖 7-5 和圖 7-7）。
可以根據(jù)標(biāo)稱電機(jī)電源電壓（VVM）、平均輸出電流（IRMS）、開關(guān)頻率（fPWM）以及器件輸出上升（tRISE）和下降（tFALL）時間規(guī)格來計算 PSW。
可以根據(jù)器件 RDS(on) 和平均輸出電流（IRMS）來計算 PRDS。
RDS(ON) 與器件溫度密切相關(guān)。假設(shè)器件結(jié)溫為 85°C，根據(jù)標(biāo)稱溫度數(shù)據(jù)，RDS(on) 可增加約 1.5 倍。下面的計算顯示了此降額系數(shù)?；蛘?，Topic Link Label7.6 部分顯示了繪制 RDS(on) 隨溫度變化的曲線。
根據(jù)上面的示例計算，下面的表達(dá)式計算了器件的總預(yù)期功耗。
可以使用 PTOT、器件環(huán)境溫度（TA）和封裝熱阻（RθJA）來計算驅(qū)動器的結(jié)溫。RθJA 的值在很大程度上依賴于 PCB 設(shè)計以及器件周圍的銅散熱器性能。Topic Link Label9.3.2 更詳細(xì)地介紹了這種依賴性。
對于所有系統(tǒng)工作條件，器件結(jié)溫應(yīng)保持在其絕對最大額定值以下。本部分中的計算提供了對結(jié)溫的合理估計。然而，其他基于系統(tǒng)運(yùn)行過程中溫度測量的方法更加現(xiàn)實和可靠?？梢栽?a xmlns:opentopic="http://www.idiominc.com/opentopic" class="xref" href="GUID-C95444EF-1919-4DCD-A3EF-58A8D03E8351.html#GUID-C95444EF-1919-4DCD-A3EF-58A8D03E8351">Topic Link Label9.3.2和Topic Link Label12.1.1中找到有關(guān)電機(jī)驅(qū)動器電流額定值和功耗的其他信息。