ZHCSVR5A March 2023 – November 2024 DRV8329-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2
典型應(yīng)用
- 8.2.1 三相無(wú)刷直流電機(jī)控制
- 8.2.2 應(yīng)用曲線
- 8.3 電源相關(guān)建議
- 8.4 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGF|40
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RGF|40
訂購(gòu)信息
7.3.6.5 MOSFET VDS 過(guò)流保護(hù) (VDS_OCP)
該器件具有可調(diào)節(jié)的 VDS 電壓監(jiān)視器，可檢測(cè)外部功率 MOSFET 上的過(guò)流或短路情況?？梢酝ㄟ^(guò)監(jiān)測(cè)外部 MOSFET RDS(on) 上的 VDS 壓降來(lái)檢測(cè) MOSFET 過(guò)流事件。高側(cè) VDS 監(jiān)視器在 PVDD 和 SHx 引腳之間進(jìn)行測(cè)量，低側(cè) VDS 監(jiān)視器在 SHx 和 LSS 引腳之間進(jìn)行測(cè)量。如果外部 MOSFET 兩端的電壓超過(guò) VDS_LVL 閾值的時(shí)間大于 tDS_DG 抗尖峰脈沖時(shí)間，則會(huì)識(shí)別到 VDS_OCP 事件。檢測(cè)到 VDS 過(guò)流事件后，所有柵極驅(qū)動(dòng)器輸出都被驅(qū)動(dòng)為低電平以禁用外部 MOSFET，并且 nFAULT 引腳被驅(qū)動(dòng)為低電平。通過(guò)在 VDSLVL 引腳上施加電壓，可以在 0.1V 至 2.5V 之間設(shè)置 VDS 閾值。VDS OCP 可通過(guò)使用一個(gè) 100 kΩ 電阻器將 VDSLVL 連接至 GVDD 來(lái)禁用。在 VDS_OCP 條件被清除后，故障狀態(tài)保持鎖存狀態(tài)，并可通過(guò) nSLEEP 引腳復(fù)位脈沖 (tRST) 清除。
圖 7-14 DRV8329-Q1 VDS 監(jiān)視器