ZHCSVR5A March 2023 – November 2024 DRV8329-Q1
PRODUCTION DATA
在 DRV8329-Q1 中,可以通過從 DT 引腳到地的電阻器 (RDT) 插入死區(qū)時(shí)間,如圖 8-6 所示。當(dāng) RDT 從 DT 引腳連接到 GND 時(shí),DRV8329-Q1 中的死區(qū)時(shí)間范圍為 100ns 至 2000ns。可以使用電阻值的線性插值來設(shè)置適當(dāng)?shù)乃绤^(qū)時(shí)間。
死區(qū)時(shí)間(以納秒為單位)可根據(jù)方程式 1 中的死區(qū)時(shí)間電阻來計(jì)算得出。
死區(qū)時(shí)間也可通過 MCU 生成的 PWM 輸入來實(shí)現(xiàn)。如果在 PWM 輸入和 DRV8329-Q1 處插入死區(qū)時(shí)間,則驅(qū)動(dòng)器輸出的 PWM 死區(qū)時(shí)間是這兩個(gè)死區(qū)時(shí)間中的較大者。例如,如果在 MCU 輸入處插入 200ns 死區(qū)時(shí)間,并通過 DT 引腳在 DRV8329-Q1 處插入 50ns 死區(qū)時(shí)間,則輸出驅(qū)動(dòng)器的 PWM 死區(qū)時(shí)間將為 200ns。