ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
在此應用示例中,該器件配置為雙電源操作模式。雙電源操作通過為柵極驅動器提供較低的電源電壓來幫助降低內部功率耗散。這可以來自內部降壓穩(wěn)壓器或外部電源。下面的示例估算了結溫。
可以使用Equation5 來計算 MOSFET 柵極電荷為 78nC、一次開關 1 個高側和 1 個低側 MOSFET 以及開關頻率為 20kHz 時的 IVCP 和 IVGLS 值。
可以使用Equation36、Equation37、Equation38 和Equation39 來計算 VVM = 12V、VVDRAIN = 48V、VVIN = 48V、IVM = 9.5mA、IVCP = 1.56mA 以及 IVGLS = 1.56mA 時的 Ptot 值。
最后,若要估算工作期間的器件結溫,請使用Equation40 來計算 TAmax = 105°C、RθJA = 26.1°C/W(RGZ 封裝)以及 Ptot = 0.22W 時的 TJmax 值。再次請注意,RθJA 高度依賴于實際應用中使用的 PCB 設計,應對其進行驗證。更多有關新舊熱指標的信息,請參閱半導體和 IC 封裝熱指標 應用報告。