ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
DRV835xF 系列器件集成了三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。VCP 倍增電荷泵可在寬工作電壓范圍內(nèi)為高側(cè) MOSFET 提供正確的柵極偏置電壓,此外還提供 100% 占空比支持。內(nèi)部 VGLS 線(xiàn)性穩(wěn)壓器為低側(cè) MOSFET 提供柵極偏置電壓。可以組合使用多個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)三相電機(jī),也可以單獨(dú)使用這些驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)其他類(lèi)型的負(fù)載。
DRV835xF 系列器件實(shí)現(xiàn)了智能柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu),使用戶(hù)能夠動(dòng)態(tài)調(diào)整柵極驅(qū)動(dòng)電流,而無(wú)需外部柵極限流電阻器。此外,該架構(gòu)為外部 MOSFET 提供了多種保護(hù)功能,包括自動(dòng)死區(qū)時(shí)間插入、寄生 dV/dt 柵極導(dǎo)通預(yù)防和柵極故障檢測(cè)。