ZHCSLV1B August 2018 – August 2021 DRV8350F , DRV8353F
PRODUCTION DATA
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 器件比較表
- 6 引腳配置和功能
- 7 規(guī)格
-
8 詳細(xì)說明
- 8.1 概述
- 8.2 功能方框圖
- 8.3
特性說明
- 8.3.1 三相智能柵極驅(qū)動器
- 8.3.2 DVDD 線性穩(wěn)壓器
- 8.3.3 引腳圖
- 8.3.4 低側(cè)電流分流放大器 (DRV8353F)
- 8.3.5 柵極驅(qū)動器保護(hù)電路
- 8.4 器件功能模式
- 8.5 編程
- 8.6 寄存器映射
- 9 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 10電源相關(guān)建議
- 11布局
- 12器件和文檔支持
- 13機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RTV|32
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RTV|32
訂購信息
8.3.1.4.2 TDRIVE：MOSFET 柵極驅(qū)動控制
TDRIVE 元件是一個集成的柵極驅(qū)動狀態(tài)機(jī)，通過開關(guān)握手、寄生 dV/dt 柵極導(dǎo)通預(yù)防和 MOSFET 柵極故障檢測來提供自動死區(qū)時間插入。
TDRIVE 狀態(tài)機(jī)的第一個作用是自動死區(qū)時間插入。死區(qū)時間是外部高側(cè)和低側(cè) MOSFET 開關(guān)之間的一段時間，旨在確保它們不會發(fā)生跨導(dǎo)并導(dǎo)致?lián)舸?。DRV835xF 系列器件使用 VGS 電壓監(jiān)視器來測量 MOSFET 柵源電壓并確定正確的切換時間，而不是依賴固定的時間值。該功能有助于針對系統(tǒng)變化（例如溫度漂移和 MOSFET 參數(shù)變化）對柵極驅(qū)動器死區(qū)時間進(jìn)行調(diào)整。可以插入一個額外的數(shù)字死區(qū)時間 (tDEAD)，并可通過 SPI 器件中的寄存器對其進(jìn)行調(diào)整。
當(dāng)相電流進(jìn)入外部半橋時，如果柵極驅(qū)動器從高側(cè) MOSFET 轉(zhuǎn)換至低側(cè) MOSFET，那么自動死區(qū)時間插入會受到限制。在這種情況下，高側(cè)二極管將在死區(qū)時間內(nèi)導(dǎo)通，并將開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓保持在 VDRAIN。在這種情況下，會在死區(qū)時間握手中引入大約 100-200ns 的額外延遲。之所以會引入該延遲，因?yàn)樾枰獙?nèi)部 VGS 檢測電路上存在的電壓進(jìn)行放電。
第二個作用側(cè)重于防止寄生 dV/dt 柵極導(dǎo)通。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，只要 MOSFET 進(jìn)行開關(guān)，TDRIVE 狀態(tài)機(jī)就會在相反狀態(tài)的 MOSFET 柵極上啟用強(qiáng)下拉 ISTRONG 電流。該強(qiáng)下拉會持續(xù) TDRIVE 時長。當(dāng)半橋開關(guān)節(jié)點(diǎn)電壓快速轉(zhuǎn)換時，該功能有助于消除耦合到 MOSFET 柵極中的寄生電荷。
第三個作用是實(shí)現(xiàn)了柵極故障檢測方案，以檢測引腳對引腳焊接缺陷、MOSFET 柵極故障或 MOSFET 柵極卡在高電壓或低電壓的情況。該實(shí)現(xiàn)是通過為每個半橋柵極驅(qū)動器配備一對 VGS 柵源電壓監(jiān)視器來完成的。當(dāng)柵極驅(qū)動器接收到改變半橋狀態(tài)的命令時，它開始監(jiān)測外部 MOSFET 的柵極電壓。如果在 tDRIVE 周期結(jié)束時 VGS 電壓沒有達(dá)到正確的閾值，則柵極驅(qū)動器將報告故障。為確保不會檢測到偽故障，應(yīng)選擇比 MOSFET 柵極充放電所需時間更長的 tDRIVE 時間。tDRIVE 時間不會增加 PWM 時間，如果在活動狀態(tài)下接收到另一個 PWM 命令，則會終止。Topic Link Label8.6（對于 SPI 器件）和Topic Link Label8.3.3 （對于硬件接口器件）介紹了有關(guān) TDRIVE 設(shè)置的其他詳細(xì)信息。
圖 8-16 展示了運(yùn)行中的 TDRIVE 狀態(tài)機(jī)的示例。
圖 8-16 TDRIVE 狀態(tài)機(jī)