ZHCSYV0 August 2025 DRV8844A
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 詳細(xì)說明
- 7 應(yīng)用和實施
- 8 器件和文檔支持
- 9 修訂歷史記錄
- 10機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DGQ|28
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DGQ|28
訂購信息
7.4.4 功率耗散
DRV8844A 中的功率耗散主要由輸出 FET 電阻或 RDS(ON) 中耗散的功率決定。每個 H 橋在運行直流電機(jī)時的平均功耗可以通過方程式 5 大致估算。
方程式 5. 
其中
- P 是一個 H 橋的耗散功率
- RDS(ON) 是每個 FET 的導(dǎo)通電阻
- IOUT 是施加到每個繞組的 RMS 輸出電流
IOUT 等于直流電機(jī)消耗的平均電流。請注意，在啟動和故障情況下，相應(yīng)的電流遠(yuǎn)大于正常運行電流；需要將這些峰值電流及持續(xù)時間也考慮在內(nèi)。因數(shù) 2 來自這樣的事實，即兩個 FET 在任何時刻導(dǎo)通繞組電流（一個高側(cè)和一個低側(cè)）。
總器件耗散是兩個 H 橋中每一個耗散的總功率。
器件中可耗散的最大功率取決于環(huán)境溫度和散熱。
請注意，RDS(ON) 隨溫度升高而增加，因此隨著器件發(fā)熱，功率耗散也會增大。在確定散熱器尺寸時，必須考慮到這一點。