本部分中的布局示例顯示了去耦電容器和 ESD 保護(hù)二極管的建議放置方式。建議在 D+/D- 信號(hào)布線下方使用連續(xù)的接地層。建議使用小尺寸電容器 (0402/0201),以便可以將它們放置在非??拷娫匆_和相應(yīng)接地引腳的位置并使用頂層進(jìn)行連接。去耦電容器與相應(yīng)電源和接地引腳之間的布線路徑上不應(yīng)有任何過孔。當(dāng)考慮放置在靠近 IC 的位置時(shí),V1P8Vx 電源上的電容器具有更高的優(yōu)先級(jí)。ESD 保護(hù)二極管應(yīng)靠近連接器放置,并與接地層牢固連接。 Pins 4 and 11 for V1P8V1 and pins 18 and 25 for V1P8V2 are connected together, but this connection is after the de-coupling capacitors. If more than 2 layers are available in the PCB, this connection should be made in an inner or bottom layer (ex. Layer 3 or 4) so as to not interrupt the ground plane under the D+/D- traces. 所示的示例適用于隔離式主機(jī)或集線器,但類似的注意事項(xiàng)也適用于隔離式外設(shè)。VBUS 上的 120μF 電容器僅適用于主機(jī)或集線器,而不應(yīng)用于外設(shè)。可以選擇在 VBUS 布線上的 100nF(和 120μF)電容器之后放置一個(gè)直流電阻小于 100mΩ 的鐵氧體磁珠,以防止 ESD 等瞬變影響電路的其余部分。為了獲得理想性能,建議盡量縮短從 MCU 到 ISOUSB211-Q1,以及從 ISOUSB211-Q1 到連接器的 D+/D- 電路板布線長度。必須避免 D+/D- 線路上的過孔和殘樁。這對于高速操作尤其重要。
可將一個(gè)小平面(例如 2mm x 2mm)連接到頂層的 GND 引腳以提高熱性能。通過多個(gè)過孔將此層連接到第二層的接地層。