ZHCSPB0B April 2023 – September 2025 LM5171-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 輔助電源和電壓基準(zhǔn)（VCC、VDD 和 VREF）
- 6.3.2 欠壓鎖定 (UVLO)
- 6.3.3 器件配置 (CFG)
- 6.3.4 高電壓輸入（HV1、HV2）
- 6.3.5 電流檢測(cè)放大器
- 6.3.6 控制命令
- 6.3.7 通道電流監(jiān)測(cè)器（IMON1、IMON2）
- 6.3.8 逐周期峰值電流限制 (IPK)
- 6.3.9 內(nèi)部電流環(huán)路誤差放大器
- 6.3.10 外部電壓環(huán)路誤差放大器
- 6.3.11 軟啟動(dòng)、二極管仿真和強(qiáng)制 PWM 控制（SS/DEM1 和 SS/DEM2）
- 6.3.12 柵極驅(qū)動(dòng)輸出、死區(qū)時(shí)間編程和自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間（HO1、HO2、LO1、LO2、DT/SD）
- 6.3.13 緊急鎖存關(guān)斷 (DT/SD)
- 6.3.14 PWM 比較器
- 6.3.15 振蕩器 (OSC)
- 6.3.16 同步到外部時(shí)鐘（SYNCI、SYNCO）
- 6.3.17 過壓保護(hù) (OVP)
- 6.3.18 多相配置（SYNCO、OPT）
- 6.3.19 熱關(guān)斷
- 6.4 器件功能模式
- 7 寄存器
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2 PWM 轉(zhuǎn)換為 ISET 引腳上的電壓
- 8.3 ISET 鉗位
- 8.4 動(dòng)態(tài)死區(qū)時(shí)間調(diào)整
- 8.5 正確端接未使用的引腳
- 8.6
典型應(yīng)用
- 8.6.1
60A、雙相、48V 至 12V 雙向轉(zhuǎn)換器
- 8.6.1.1 設(shè)計(jì)要求
- 8.6.1.2
詳細(xì)設(shè)計(jì)過程
- 8.6.1.2.1 確定占空比
- 8.6.1.2.2 振蕩器編程 (OSC)
- 8.6.1.2.3 功率電感器、RMS 和峰值電流
- 8.6.1.2.4 電流檢測(cè) (RCS)
- 8.6.1.2.5 電流設(shè)置命令 (ISETx)
- 8.6.1.2.6 峰值電流限制 (IPK)
- 8.6.1.2.7 功率 MOSFET
- 8.6.1.2.8 輔助電源
- 8.6.1.2.9 自舉電容器
- 8.6.1.2.10 過壓保護(hù) (OVP)
- 8.6.1.2.11 死區(qū)時(shí)間 (DT/SD)
- 8.6.1.2.12 通道電流監(jiān)測(cè)器 (IMONx)
- 8.6.1.2.13 欠壓鎖定 (UVLO)
- 8.6.1.2.14 HVx 引腳配置
- 8.6.1.2.15 環(huán)路補(bǔ)償
- 8.6.1.2.16 軟啟動(dòng) (SS/DEMx)
- 8.6.1.3 應(yīng)用曲線
- 8.6.1
60A、雙相、48V 至 12V 雙向轉(zhuǎn)換器
- 8.7 電源相關(guān)建議
- 8.8 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PHP|48
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PHP|48
訂購信息
6.3.11 軟啟動(dòng)、二極管仿真和強(qiáng)制 PWM 控制（SS/DEM1 和 SS/DEM2）
SS/DEMx 是多功能引腳，用作 ISETx 軟啟動(dòng)，還可將每個(gè)通道編程為在二極管仿真模式 (DEM) 或強(qiáng)制 PWM 模式 (FPWM) 下運(yùn)行。
每個(gè)通道都有一個(gè)實(shí)時(shí)零電流檢測(cè)器可監(jiān)測(cè)瞬時(shí) VCS。當(dāng)檢測(cè)到 VCS 過零時(shí)，LM5171-Q1 會(huì)關(guān)斷同步整流器（同步 FET）的柵極驅(qū)動(dòng)器以防止出現(xiàn)負(fù)電流。這樣，可以防止出現(xiàn)負(fù)電流，并提高輕負(fù)載效率。圖 6-13 展示了 DEM 中的典型波形。
在 FPWM 模式下，同步 FET 與控制 FET 一起形成互補(bǔ)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，過零被忽略。
圖 6-13 二極管仿真模式運(yùn)行為了獲得設(shè)計(jì)的二極管仿真性能，以低噪聲和低延遲監(jiān)測(cè)電流檢測(cè)信號(hào)。由電流檢測(cè)電阻器或檢測(cè)布線中的寄生電感引起的任何信號(hào)失真都會(huì)導(dǎo)致錯(cuò)誤的過零檢測(cè)，并導(dǎo)致二極管仿真運(yùn)行不是最優(yōu)狀態(tài)，而且同步 FET 在高電流時(shí)關(guān)斷。有關(guān)理想二極管仿真運(yùn)行情況，請(qǐng)參閱電流檢測(cè) (RCS)。