ZHCSPB0B April 2023 – September 2025 LM5171-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
-
6 詳細(xì)說明
- 6.1 概述
- 6.2 功能方框圖
- 6.3
特性說明
- 6.3.1 輔助電源和電壓基準(zhǔn)（VCC、VDD 和 VREF）
- 6.3.2 欠壓鎖定 (UVLO)
- 6.3.3 器件配置 (CFG)
- 6.3.4 高電壓輸入（HV1、HV2）
- 6.3.5 電流檢測(cè)放大器
- 6.3.6 控制命令
- 6.3.7 通道電流監(jiān)測(cè)器（IMON1、IMON2）
- 6.3.8 逐周期峰值電流限制 (IPK)
- 6.3.9 內(nèi)部電流環(huán)路誤差放大器
- 6.3.10 外部電壓環(huán)路誤差放大器
- 6.3.11 軟啟動(dòng)、二極管仿真和強(qiáng)制 PWM 控制（SS/DEM1 和 SS/DEM2）
- 6.3.12 柵極驅(qū)動(dòng)輸出、死區(qū)時(shí)間編程和自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間（HO1、HO2、LO1、LO2、DT/SD）
- 6.3.13 緊急鎖存關(guān)斷 (DT/SD)
- 6.3.14 PWM 比較器
- 6.3.15 振蕩器 (OSC)
- 6.3.16 同步到外部時(shí)鐘（SYNCI、SYNCO）
- 6.3.17 過壓保護(hù) (OVP)
- 6.3.18 多相配置（SYNCO、OPT）
- 6.3.19 熱關(guān)斷
- 6.4 器件功能模式
- 7 寄存器
-
8 應(yīng)用和實(shí)施
- 8.1 應(yīng)用信息
- 8.2 PWM 轉(zhuǎn)換為 ISET 引腳上的電壓
- 8.3 ISET 鉗位
- 8.4 動(dòng)態(tài)死區(qū)時(shí)間調(diào)整
- 8.5 正確端接未使用的引腳
- 8.6
典型應(yīng)用
- 8.6.1
60A、雙相、48V 至 12V 雙向轉(zhuǎn)換器
- 8.6.1.1 設(shè)計(jì)要求
- 8.6.1.2
詳細(xì)設(shè)計(jì)過程
- 8.6.1.2.1 確定占空比
- 8.6.1.2.2 振蕩器編程 (OSC)
- 8.6.1.2.3 功率電感器、RMS 和峰值電流
- 8.6.1.2.4 電流檢測(cè) (RCS)
- 8.6.1.2.5 電流設(shè)置命令 (ISETx)
- 8.6.1.2.6 峰值電流限制 (IPK)
- 8.6.1.2.7 功率 MOSFET
- 8.6.1.2.8 輔助電源
- 8.6.1.2.9 自舉電容器
- 8.6.1.2.10 過壓保護(hù) (OVP)
- 8.6.1.2.11 死區(qū)時(shí)間 (DT/SD)
- 8.6.1.2.12 通道電流監(jiān)測(cè)器 (IMONx)
- 8.6.1.2.13 欠壓鎖定 (UVLO)
- 8.6.1.2.14 HVx 引腳配置
- 8.6.1.2.15 環(huán)路補(bǔ)償
- 8.6.1.2.16 軟啟動(dòng) (SS/DEMx)
- 8.6.1.3 應(yīng)用曲線
- 8.6.1
60A、雙相、48V 至 12V 雙向轉(zhuǎn)換器
- 8.7 電源相關(guān)建議
- 8.8 布局
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PHP|48
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- PHP|48
訂購信息
8.6.1.2.8 輔助電源
輔助電源的總負(fù)載電流主要由總 MOSFET 柵極電荷 Qg 確定。假設(shè)系統(tǒng)采用多個(gè) LM5171-Q1 來實(shí)現(xiàn) M 個(gè)相位，且每個(gè)相位使用 N 個(gè)并聯(lián)的 MOSFET 作為一個(gè)開關(guān)。每個(gè)相位有 2x N 個(gè) MOSFET 要驅(qū)動(dòng)。然后，通過 VCC 輔助電源驅(qū)動(dòng)這些 MOSFET 的總電流由方程式 95 確定。
其中
- 5mA 是最壞情況下每個(gè)相位的控制邏輯電路使用的最大電流。
在將兩個(gè)并聯(lián) MOSFET 用作一個(gè)開關(guān)的四相系統(tǒng)示例中（其中 M = 4，N = 2，Qg = 100nC，F(xiàn)sw = 100KHz），輔助電源需要至少能夠支持以下總負(fù)載電流：
在將相同并聯(lián) MOSFET 用作一個(gè)開關(guān)的八相系統(tǒng)示例中，輔助電源需要能夠支持以下總負(fù)載電流：
如輔助電源和電壓基準(zhǔn)（VCC、VDD 和 VREF）中所述，LM5171-Q1 集成的 LDO 驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)外部 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，從而在 VCC 引腳上產(chǎn)生 9V 輔助電源電壓。此應(yīng)用中選擇了 PMT560ENEAX。
但是，當(dāng)外部 MOSFET 的柵極驅(qū)動(dòng)器損耗較高時(shí)，最好使用外部 10V 至 12V VCC 偏置電源。如果系統(tǒng)中不能提供此電源電壓，使用降壓/升壓或 SEPIC 轉(zhuǎn)換器從 LV 端口產(chǎn)生偏置電源，或者使用降壓轉(zhuǎn)換器從 HV 端口產(chǎn)生偏置電源。請(qǐng)參閱德州儀器 (TI) LM25118 和 LM5118 來實(shí)現(xiàn)降壓/升壓轉(zhuǎn)換器，參閱 LM5158 來實(shí)現(xiàn) SEPIC 轉(zhuǎn)換器，或參閱 LM5160 和 LM5161 來實(shí)現(xiàn)降壓轉(zhuǎn)換器。
需要靠近 VCC 引腳和 PGND 引腳放置一個(gè)旁路電容器。此應(yīng)用中選擇了 2.2μF、16V 陶瓷電容器。