ZHCSX17A September 2024 – May 2025 LM65625-Q1 , LM65635-Q1 , LM65645-Q1
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 器件比較表
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì)說(shuō)明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- RZT|20
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
7.3.9.2 過(guò)流和短路保護(hù)
LM656x5-Q1 通過(guò)針對(duì)高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的逐周期電流限制在過(guò)流情況下得到保護(hù)。
高側(cè) MOSFET 過(guò)流保護(hù)是通過(guò)峰值電流模式控制的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)的。當(dāng)高側(cè)開(kāi)關(guān)在較短的消隱時(shí)間后導(dǎo)通時(shí)，將檢測(cè)到高側(cè)開(kāi)關(guān)電流。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期，將高側(cè)開(kāi)關(guān)電流與固定電流設(shè)定點(diǎn)的最小值，或與電壓調(diào)節(jié)環(huán)路的輸出減去斜率補(bǔ)償之后的值進(jìn)行比較。由于電壓環(huán)路具有最大值并且斜率補(bǔ)償隨占空比增加，因此如果占空比高于 35%，高側(cè)電流限值會(huì)隨著占空比的增加而減小。
當(dāng)?shù)蛡?cè)開(kāi)關(guān)接通時(shí)，也會(huì)檢測(cè)和監(jiān)控流經(jīng)的電流。與高側(cè) MOSFET 一樣，電壓控制環(huán)路會(huì)控制低側(cè) MOSFET 關(guān)斷。對(duì)于低側(cè)器件，即使振蕩器正常啟動(dòng)一個(gè)新的開(kāi)關(guān)周期，也會(huì)在超過(guò)電流限值時(shí)阻止關(guān)斷。與高側(cè)器件一樣，關(guān)斷電流的高低也受到限制。該限制稱(chēng)為低側(cè)電流限制；有關(guān)具體值，請(qǐng)參閱電氣特性。如果超出 LS 電流限值，LS MOSFET 將保持導(dǎo)通狀態(tài)，HS 開(kāi)關(guān)不會(huì)導(dǎo)通。LS 開(kāi)關(guān)在 LS 電流降至限值以下后關(guān)斷。只要自 HS 器件上次導(dǎo)通后至少經(jīng)過(guò)一個(gè)時(shí)鐘周期 HS 開(kāi)關(guān)就會(huì)再次導(dǎo)通。
圖 7-9 電流限值波形高側(cè)和低側(cè)限流運(yùn)行的最終影響是 IC 在遲滯控制下運(yùn)行。由于電流波形假定值介于 IL-HS 和 IL-LS 之間，因此除非占空比非常高，否則輸出電流接近這兩個(gè)值的平均值。在電流限制下運(yùn)行之后將使用遲滯控制，并且電流不會(huì)隨著輸出電壓接近零而增加。
如果占空比非常高，則電流紋波必須非常低以防止不穩(wěn)定；請(qǐng)參閱節(jié) 8.2.2.4。由于電流紋波較低，因此該器件能夠提供全負(fù)載電流。提供的電流接近 IL-LS。
過(guò)載條件一旦消除，器件就會(huì)像在軟啟動(dòng)中一樣恢復(fù)；請(qǐng)參閱節(jié) 7.3.8。請(qǐng)注意，如果輸出電壓降至預(yù)期輸出電壓的大約 0.4 倍以下且連續(xù)過(guò)去 64 個(gè)開(kāi)關(guān)周期，則會(huì)觸發(fā)斷續(xù)。