ZHCSNK1 december 2022 LM7481
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 參數(shù)測(cè)量信息
- 8 詳細(xì)說(shuō)明
- 9 應(yīng)用和實(shí)施
- 10器件和文檔支持
- 11機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRR|12
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DRR|12
訂購(gòu)信息
9.2.5 MOSFET 選擇：熱插拔 MOSFET Q2
MOSFET Q2 的 VDS 額定值應(yīng)足以處理最大系統(tǒng)電壓以及輸入瞬態(tài)電壓。對(duì)于該 12V 設(shè)計(jì)，瞬態(tài)過壓事件發(fā)生在抑制負(fù)載突降 35V 且持續(xù) 400ms 以及 ISO 7637-2 脈沖 2A 50V 且持續(xù) 50μs 期間。此外，ISO 7637-2 脈沖 3B 是一個(gè)非?？焖俚?100V 100ns 重復(fù)脈沖，通常被輸入和輸出陶瓷電容器吸收，12V 電池上的最大電壓可限制為 < 40V，建議的最小輸入電容為 0.1μF。輸入和輸出電容器也可吸收 50V SO 7637-2 脈沖 2A，并且通過在輸入和輸出端放置足夠大的電容，其振幅可降至 40V 峰值。對(duì)于該 12V 設(shè)計(jì)，選擇了額定電壓為 40V VDS 的 MOSFET。
MOSFET Q2 的 VGS 額定值應(yīng)高于該最大 HGATE-OUT 電壓 15V。
在輸入熱插拔至 12V 電池期間流經(jīng) MOSFET 的浪涌電流由輸出電容決定。HGATE 上的外部電容 CDVDT 用于限制輸入熱插拔或啟動(dòng)期間的浪涌電流。需要選擇通過方程式 2 確定的浪涌電流值，以確保 MOSFET Q2 在其安全工作區(qū) (SOA) 內(nèi)正常運(yùn)行?？紤] COUT = 470μF 且浪涌電流為 2.5A，計(jì)算出 CDVDT 的值為 9.96nF。為該設(shè)計(jì)選擇一個(gè)非常接近的標(biāo)準(zhǔn)值 10.0nF。
浪涌電流持續(xù)時(shí)間的計(jì)算公式如下：
計(jì)算出的浪涌電流持續(xù)時(shí)間為 2.36ms，浪涌電流為 2.5A。
為 Q2 選擇了具有 40V VDS 和 16V VGS 額定值的 MOSFET BUK9J0R9-40H。浪涌期間的功率耗散完全在 MOSFET 的安全工作區(qū) (SOA) 范圍內(nèi)。