ZHCSNK1 december 2022 LM7481
PRODUCTION DATA
A、C、DGATE 由理想二極管級組成。將外部 MOSFET 的源極連接到 A,將漏極連接到 C,將柵極連接到 DGATE。LM74810 具有低至 –65V 的集成反向輸入保護。
啟用 DGATE 驅(qū)動器之前,必須滿足以下條件:
在 LM74810 中,在 A 引腳和 C 引腳之間持續(xù)監(jiān)測 MOSFET 兩端的壓降,并根據(jù)需要調(diào)節(jié) DGATE 至 A 電壓,以將正向壓降穩(wěn)定在 9.1mV(典型值)。該閉環(huán)調(diào)節(jié)方案可在反向電流事件中支持 MOSFET 平穩(wěn)關(guān)斷,并確保零直流反向電流。該方案可確保在慢速輸入電壓斜降測試期間實現(xiàn)穩(wěn)健的性能。除了線性穩(wěn)壓放大器方案外,LM74810 還集成了快速反向電壓比較器。當 A 和 C 上的壓降達到 V(AC_REV) 閾值時,DGATE 在 0.5μs(典型值)內(nèi)變?yōu)榈碗娖健_@種快速反向電壓比較器方案可確保在輸入微短路等快速輸入電壓斜降測試期間實現(xiàn)穩(wěn)健性能。當 A 和 C 之間的電壓在 0.85μs(典型值)內(nèi)達到 V(AC_FWD) 閾值時,外部 MOSFET 重新導通。
對于僅限理想二極管的設(shè)計,如圖 8-2 所示連接 LM74810。