ZHCSYI4 June 2025 LMG2656
PRODUCTION DATA
6.1 GaN 功率 FET 開關參數(shù)
圖 6-1 展示了用于測量 GaN 功率 FET 開關參數(shù)的電路。該電路用作雙脈沖測試儀。有關雙脈沖測試儀的詳細信息，請參閱外部基準。該電路置于升壓配置中，用于測量低側(cè) GaN 開關參數(shù)。該電路置于降壓配置中，用于測量高側(cè) GaN 開關參數(shù)。不在每個配置（升壓中的高側(cè)和降壓中的低側(cè)）中測量 GaN FET 充當雙脈沖測試儀二極管，并在關斷狀態(tài)第三象限導通模式下實現(xiàn)電感器電流循環(huán)。表 6-1 展示了每個配置的詳細信息。
圖 6-1 GaN 功率 FET 開關參數(shù)測試電路
表 6-1 GaN 功率 FET 開關參數(shù)測試電路配置詳細信息
| 配置 | 待測試 GaN FET | 充當二極管的 GaN FET | SBOOST | SBUCK | VINL | VINH | VGDH |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 升壓 | 低側(cè) | 高側(cè) | 閉合 | 開路 | 雙脈沖波形 | 0V | 0V |
| 降壓 | 高側(cè) | 低側(cè) | 開路 | 閉合 | 0V | 雙脈沖波形 | 0V |
| 降壓 | 高側(cè) | 低側(cè) | 開路 | 閉合 | 0V | 0V | 雙脈沖波形 |
圖 6-2 展示了 GaN 功率 FET 開關參數(shù)。
GaN 功率 FET 導通轉(zhuǎn)換有三個時間分量：漏極電流導通延遲時間 td(on)(Idrain、導通延遲時間 td(on) 和導通上升時間 tr(on)。請注意，導通上升時間與 VDS 80% 至 20% 下降時間相同。所有三個導通時間分量都是 RDRVx 引腳設置的函數(shù)。
GaN 功率 FET 關斷轉(zhuǎn)換具有兩個時間分量：關斷延遲時間 td(off) 和關斷下降時間 tf(off)。請注意，關斷下降時間與 VDS 20% 至 80% 上升時間相同。關斷時間分量與 RDRVx 引腳設置無關，但在很大程度上取決于 LHB 電流。
導通壓擺率是根據(jù)導通上升時間電壓差 (240V) 測量，可獲得對 EMI 設計很有用的壓擺率。RDRVx 引腳用于設定壓擺率。
圖 6-2 GaN 功率 FET 開關參數(shù)