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LMG2656

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具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V、230mΩ GaN 半橋

產(chǎn)品詳情

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 230 ID (max) (A) 3.6 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Integrated current sense, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 230 ID (max) (A) 3.6 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Integrated current sense, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RFB) 19 48 mm2 8 x 6
  • 650V GaN 功率 FET 半橋
  • 230m? 低側(cè)和高側(cè) GaN FET
  • 傳播延遲低于 100ns 的集成柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 可編程導(dǎo)通壓擺率控制
  • 具有高帶寬和高精度的電流檢測(cè)仿真
  • 低側(cè)參考 (INH) 和高側(cè)參考 (GDH) 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)引腳
  • 低側(cè) (INL)/高側(cè) (INH) 柵極驅(qū)動(dòng)互鎖
  • 高側(cè) (INH) 柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換器
  • 智能開(kāi)關(guān)自舉二極管功能
  • 高側(cè)啟動(dòng)：<8μs
  • 低側(cè)/高側(cè)逐周期過(guò)流保護(hù)
  • 過(guò)熱保護(hù)
  • AUX 空閑靜態(tài)電流：250μA
  • AUX 待機(jī)靜態(tài)電流：50μA
  • BST 空閑靜態(tài)電流：70μA
  • 具有雙散熱焊盤(pán)的 8mm × 6mm QFN 封裝
  • 650V GaN 功率 FET 半橋
  • 230m? 低側(cè)和高側(cè) GaN FET
  • 傳播延遲低于 100ns 的集成柵極驅(qū)動(dòng)器
  • 可編程導(dǎo)通壓擺率控制
  • 具有高帶寬和高精度的電流檢測(cè)仿真
  • 低側(cè)參考 (INH) 和高側(cè)參考 (GDH) 高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)引腳
  • 低側(cè) (INL)/高側(cè) (INH) 柵極驅(qū)動(dòng)互鎖
  • 高側(cè) (INH) 柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換器
  • 智能開(kāi)關(guān)自舉二極管功能
  • 高側(cè)啟動(dòng)：<8μs
  • 低側(cè)/高側(cè)逐周期過(guò)流保護(hù)
  • 過(guò)熱保護(hù)
  • AUX 空閑靜態(tài)電流：250μA
  • AUX 待機(jī)靜態(tài)電流：50μA
  • BST 空閑靜態(tài)電流：70μA
  • 具有雙散熱焊盤(pán)的 8mm × 6mm QFN 封裝

LMG2656 是一款 650V 230mΩ GaN 功率 FET 半橋。LMG2656 通過(guò)在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉 FET 和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器，可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、減少元件數(shù)量并縮減布板空間。

可編程導(dǎo)通壓擺率可實(shí)現(xiàn) EMI 和振鈴控制。與傳統(tǒng)的電流檢測(cè)電阻相比，低側(cè)電流檢測(cè)仿真可降低功耗，并允許將低側(cè)散熱焊盤(pán)連接到 PCB 電源地。

高側(cè) GaN 功率 FET 可通過(guò)低側(cè)參考柵極驅(qū)動(dòng)引腳 (INH) 或高側(cè)參考柵極驅(qū)動(dòng)引腳 (GDH) 進(jìn)行控制。在具有挑戰(zhàn)性的電源開(kāi)關(guān)環(huán)境中，高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換器能夠可靠地將 INH 引腳信號(hào)傳輸?shù)礁邆?cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。智能開(kāi)關(guān) GaN 自舉 FET 沒(méi)有二極管正向壓降，可避免高側(cè)電源過(guò)充，并且反向恢復(fù)電荷為零。

LMG2656 具有低靜態(tài)電流和快速啟動(dòng)時(shí)間，可滿(mǎn)足轉(zhuǎn)換器輕負(fù)載效率要求，并實(shí)現(xiàn)突發(fā)模式運(yùn)行。保護(hù)特性包括 FET 導(dǎo)通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過(guò)熱關(guān)斷。超低壓擺率設(shè)置支持電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

LMG2656 是一款 650V 230mΩ GaN 功率 FET 半橋。LMG2656 通過(guò)在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉 FET 和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器，可簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、減少元件數(shù)量并縮減布板空間。

可編程導(dǎo)通壓擺率可實(shí)現(xiàn) EMI 和振鈴控制。與傳統(tǒng)的電流檢測(cè)電阻相比，低側(cè)電流檢測(cè)仿真可降低功耗，并允許將低側(cè)散熱焊盤(pán)連接到 PCB 電源地。

高側(cè) GaN 功率 FET 可通過(guò)低側(cè)參考柵極驅(qū)動(dòng)引腳 (INH) 或高側(cè)參考柵極驅(qū)動(dòng)引腳 (GDH) 進(jìn)行控制。在具有挑戰(zhàn)性的電源開(kāi)關(guān)環(huán)境中，高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換器能夠可靠地將 INH 引腳信號(hào)傳輸?shù)礁邆?cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。智能開(kāi)關(guān) GaN 自舉 FET 沒(méi)有二極管正向壓降，可避免高側(cè)電源過(guò)充，并且反向恢復(fù)電荷為零。

LMG2656 具有低靜態(tài)電流和快速啟動(dòng)時(shí)間，可滿(mǎn)足轉(zhuǎn)換器輕負(fù)載效率要求，并實(shí)現(xiàn)突發(fā)模式運(yùn)行。保護(hù)特性包括 FET 導(dǎo)通互鎖、欠壓鎖定 (UVLO)、逐周期電流限制和過(guò)熱關(guān)斷。超低壓擺率設(shè)置支持電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
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* 數(shù)據(jù)表 LMG2656 具有集成驅(qū)動(dòng)器和電流檢測(cè)仿真功能的 650V 230 mΩ GaN 半橋 數(shù)據(jù)表 PDF | HTML 英語(yǔ)版 PDF | HTML 2025年 7月 8日

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子卡

LMG2656EVM-102 — LMG2656 子卡

LMG2656EVM-102 旨在提供一個(gè)快速簡(jiǎn)便的平臺(tái)來(lái)評(píng)估 TI 集成 GaN 器件在任何半橋拓?fù)渲械膽?yīng)用。該電路板設(shè)計(jì)為使用電路板底部邊緣的 6 個(gè)電源引腳和 12 個(gè)數(shù)字引腳以插座式外部連接方式與更大的系統(tǒng)連接。電源引腳形成主開(kāi)關(guān)環(huán)路，該環(huán)路由高壓直流總線(xiàn)、開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)和電源接地組成。數(shù)字引腳通過(guò) PWM 柵極輸入來(lái)控制 LMG2656 器件，使用低壓電源提供輔助電源，并以數(shù)字輸出形式報(bào)告故障信息?；竟β始?jí)和柵極驅(qū)動(dòng)、高頻電流環(huán)路在板上是全封閉的，以最大程度地減少電源環(huán)路的寄生電感，從而減少電壓過(guò)沖，提升性能。使用 TI 的同步降壓/升壓主板 (LMG342X-BB-EVM) (...)

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仿真模型

LMG2656 SIMPLIS Model

SNOM812.ZIP (28 KB) - SIMPLIS Model
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計(jì)算工具

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
支持的產(chǎn)品和硬件

支持的產(chǎn)品和硬件

產(chǎn)品
氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)
  • LMG2100R026 — 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)
  • LMG2100R044 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
  • LMG2610 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能且適用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋
  • LMG2640 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V、105mΩ GaN 半橋
  • LMG2650 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V、95mΩ GaN 半橋
  • LMG2652 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V、140mΩ GaN 半橋
  • LMG2656 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V、230mΩ GaN 半橋
  • LMG3410R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 600V 50mΩ GaN
  • LMG3410R070 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 600V 70m? GaN
  • LMG3410R150 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和過(guò)流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN
  • LMG3411R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過(guò)流保護(hù)功能的 600V 50m? GaN
  • LMG3411R070 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過(guò)流保護(hù)功能的 600V 70m? GaN
  • LMG3411R150 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過(guò)流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN
  • LMG3422R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 600V 30m? GaN FET
  • LMG3422R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 600V 50m? GaN FET
  • LMG3425R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能以及理想二極管模式的 600V 30m? GaN FET
  • LMG3425R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能以及理想二極管模式的 600V 50m? GaN FET
  • LMG3426R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 30mΩ GaN FET
  • LMG3426R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 50m? GaN FET
  • LMG3427R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 30mΩ GaN FET
  • LMG3427R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 600V 50mΩ GaN FET
  • LMG3522R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 650V 30m? GaN FET
  • LMG3522R030-Q1 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的汽車(chē)類(lèi) 650V 30m? GaN FET
  • LMG3522R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的 650V 50m? GaN FET
  • LMG3526R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 650V 30m? GaN FET
  • LMG3526R050 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)報(bào)告功能的 650V 50m? GaN FET
  • LMG3527R030 — 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的 650V 30m? GaN FET
  • LMG5200 — 80V GaN 半橋功率級(jí)
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
VQFN (RFB) 19 Ultra Librarian

訂購(gòu)和質(zhì)量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標(biāo)識(shí)
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息：
  • 制造廠(chǎng)地點(diǎn)
  • 封裝廠(chǎng)地點(diǎn)

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