ZHCSYI4 June 2025 LMG2656
PRODUCTION DATA
7.3.1 GaN 功率 FET 開關(guān)能力
由于硅 FET 長期占據(jù)功率開關(guān)技術(shù)的主導(dǎo)地位，許多設(shè)計人員沒有意識到銘牌漏源電壓不能用作跨技術(shù)比較器件的等效點。硅 FET 的銘牌漏源電壓由雪崩擊穿電壓決定。GaN FET 的銘牌漏源電壓是根據(jù)對數(shù)據(jù)表規(guī)格的長期遵從性設(shè)定的。
超過硅 FET 的銘牌漏源電壓可能會立即導(dǎo)致?lián)p壞或造成永久性損壞。同時，GaN FET 的擊穿電壓遠高于銘牌漏源電壓。例如，LMG2656 GaN 功率 FET 的擊穿漏源電壓超過 800V，這使得 LMG2656 能夠在超過相同銘牌額定硅 FET 的條件下運行。
LMG2656 GaN 功率 FET 開關(guān)功能借助 GaN 功率 FET 開關(guān)功能一文進行了說明。該圖顯示了在開關(guān)應(yīng)用中，LMG2656 GaN 功率 FET 在四個不同開關(guān)周期內(nèi)的漏源電壓隨時間的變化情況。不對開關(guān)頻率或占空比進行任何聲明。前三個周期顯示正常運行，后一個周期顯示在罕見的輸入電壓浪涌下運行。LMG2656 GaN 功率 FET 可在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 硬開關(guān)、零電壓開關(guān) (ZVS) 和不連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM) 開關(guān)條件下導(dǎo)通。
圖 7-1 GaN 功率 FET 開關(guān)能力
FET 處于導(dǎo)通狀態(tài)時，每個周期都在 t0 之前開始。在 t0 時，GaN FET 關(guān)斷，寄生元件導(dǎo)致漏源電壓以高頻振鈴。高頻振鈴已經(jīng)減弱了 t1。在 t1 和 t2 之間，F(xiàn)ET 漏源電壓由開關(guān)應(yīng)用的特性響應(yīng)設(shè)置。特性以一條平坦的線（平坦區(qū)）顯示，但可以有其他響應(yīng)。在 t2 時，GaN FET 導(dǎo)通。正常運行時，瞬態(tài)振鈴電壓限制為 650V，平坦電壓限制為 520V。對于罕見的浪涌事件，瞬態(tài)環(huán)電壓限制為 800V，平坦電壓限制為 720V。