由于硅 FET 長期占據(jù)功率開關(guān)技術(shù)的主導(dǎo)地位，許多設(shè)計(jì)人員沒有意識(shí)到銘牌漏源電壓不能用作跨技術(shù)比較器件的等效點(diǎn)。硅 FET 的銘牌漏源電壓由雪崩擊穿電壓決定。GaN FET 的銘牌漏源電壓是根據(jù)對(duì)數(shù)據(jù)表規(guī)格的長期遵從性設(shè)定的。

超過硅 FET 的銘牌漏源電壓可能會(huì)立即導(dǎo)致?lián)p壞或造成永久性損壞。同時(shí)，GaN FET 的擊穿電壓遠(yuǎn)高于銘牌漏源電壓。例如，LMG3626 GaN 功率 FET 的擊穿漏源電壓超過 800V，這使得 LMG3626 能夠在超過相同銘牌額定硅 FET 的條件下運(yùn)行。

LMG3626 GaN 功率 FET 開關(guān)功能借助 GaN 功率 FET 開關(guān)功能一文進(jìn)行了說明。該圖顯示了在開關(guān)應(yīng)用中，LMG3626 GaN 功率 FET 在四個(gè)不同開關(guān)周期內(nèi)的漏源電壓隨時(shí)間的變化情況。不對(duì)開關(guān)頻率或占空比進(jìn)行任何聲明。前三個(gè)周期顯示正常運(yùn)行，后一個(gè)周期顯示在罕見的輸入電壓浪涌下運(yùn)行。LMG3626 GaN 功率 FET 可在連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) 硬開關(guān)、零電壓開關(guān) (ZVS) 和不連續(xù)導(dǎo)通模式 (DCM) 開關(guān)條件下導(dǎo)通。

圖 7-1 GaN 功率 FET 開關(guān)能力

FET 處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，每個(gè)周期都在 t₀ 之前開始。在 t₀ 時(shí)，GaN FET 關(guān)斷，寄生元件導(dǎo)致漏源電壓以高頻振鈴。高頻振鈴已經(jīng)減弱了 t₁。在 t₁ 和 t₂ 之間，F(xiàn)ET 漏源電壓由開關(guān)應(yīng)用的特性響應(yīng)設(shè)置。特性以一條平坦的線（平坦區(qū)）顯示，但可以有其他響應(yīng)。在 t₂ 時(shí)，GaN FET 導(dǎo)通。正常 CCM 運(yùn)行時(shí)，瞬態(tài)振鈴電壓限制為 650V，平坦電壓限制為 520V。正常 ZVS/DCM 運(yùn)行時(shí)，瞬態(tài)振鈴電壓限制為 700V，平坦電壓限制為 560V。對(duì)于罕見的浪涌事件，瞬態(tài)環(huán)電壓限制為 800V，平坦電壓限制為 720V。